イオンビーム法による絶縁基板上へのGa As薄膜の成長
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概要
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Thin GaAs layers are prepared on (0001) sapphire, fused quartz or polycrystalline alumina by an ion beam deposition technique. GaAs preferably orientated to [111] grows on (0001) sapphire and fused quartz. The polycrystalline alumina has polycrystalline GaAs regardless of GaAs growth condition. Preferability of (111) GaAs on the (0001) sapphire and the fused quartz depends on substrate temperatures, ion energy or the ratio of As and Ga ion current. These GaAs layers are high resistivity n-type.
- 日本真空協会の論文
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