ラザフォード後方散乱法および二次イオン質量分析法によるハライド系気相成長法で作製したBi系超伝導薄膜の組成分析
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概要
著者
-
井上 正崇
大阪工業大学
-
升田 公三
筑波大学物質工学系
-
渡辺 正則
イオン工学センター
-
矢野 満明
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
矢野 満明
大阪工業大学
-
坂本 浩道
イオン工学センター
-
渡辺 正則
イオン工学研
-
渡邉 正則
(株)イオン工学研究所
-
山下 貴弘
大阪工業大学
-
前元 利彦
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
井上 正崇
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
前元 利彦
大阪工業大学
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