前元 利彦 | 大阪工業大学
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概要
関連著者
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前元 利彦
大阪工業大学
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前元 利彦
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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井上 正崇
大阪工業大学
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前元 利彦
大阪工業大学工学部電気工学科
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井上 正崇
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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佐々 誠彦
大阪工業大学
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佐々 誠彦
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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井上 正崇
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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矢野 満明
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
井上 達也
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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矢野 満明
大阪工業大学
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小山 政俊
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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小池 一歩
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
小池 一歩
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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矢野 満明
大阪工業大学バイオベンチャーセンター
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高橋 寛
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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小池 一歩
大阪工業大学バイオベンチャーセンター
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中島 貴史
大阪工業大学新材料研究センター
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中島 洋二
大阪工業大学新材料研究センター
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中井 正人
大阪工業大学新材料研究センター
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岩井 嘉男
大阪工業大学
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木村 祐太
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
木村 祐太
大阪工業大学
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藤原 健司
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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天野 直樹
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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井上 正宗
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
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藤田 隆二
大阪工業大学 新材料研究センター
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福岡 佳宏
大阪工業大学工学研究科
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Kasai S
Graduate School Of Environmental Earth Science Hokkaido University
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葛西 誠也
北海道大学 大学院情報科学研究科
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葛西 誠也
北大院情報科学および量集センター:jstさきがけ
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藤田 隆二
大阪工業大学新材料研究センター
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孫 屹
大阪工業大学
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佐々誠 彦
大阪工業大学
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葛西 誠也
北海道大学
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陽 完治
大阪工業大学
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升田 公三
筑波大学物質工学系
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渡辺 正則
イオン工学センター
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矢野 清明
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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藤田 隆洋
大阪工業大学新材料研究センター
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一宇 正彦
大阪工業大学工学研究科
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大矢 章雄
大阪工業大学工学研究科
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坂本 浩道
イオン工学センター
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渡辺 正則
イオン工学研
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渡邉 正則
(株)イオン工学研究所
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八島 崇
大阪工業大学
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歌津 貴繁
大阪工業大学工学部
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宮崎 修樹
大阪工業大学工学部
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永重 浩章
大阪工業大学工学部
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山下 貴弘
大阪工業大学
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尾形 健一
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
前元 利彦
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
日垣 友宏
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
著作論文
- InAs/(AlGa)Sbヘテロ構造を用いた超伝導弱結合素子の製作と特性評価
- CS-9-1 ZnOトランジスタ応用について(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- InAs/AlGaSb量子細線3分岐構造における非線形電子輸送(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- InAs/AlGaSb極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果
- InAs/AlGaSb極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
- サブテラヘルツ波検出を目指したダイオード構造の作製と特性評価(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 高性能ZnO系FETの開発 : デバイス応用と高周波特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 高性能ZnO系FETの開発 : デバイス応用と高周波特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- InAs/AlGaSb量子細線3分岐構造における非線形電子輸送(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- InAs/AlGaSb極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
- AFM酸化を用いて作製したInAs表面反転層およびInAs/AlGaSb量子井戸ナノスケール開放型ドット中での電子波干渉効果(半導体エレクトロニクス)
- InAs系メゾ構造における電子波干渉効果(量子効果デバイス及び関連技術)
- InAs系メゾ構造における電子波干渉効果(量子効果デバイス及び関連技術)
- InAs量子細線における磁気輸送特性
- レーザアブレーション法を用いたYBa_2Cu_3O_7_-_X薄膜の作製と評価
- 508 レーザ蒸着法による YBaCuO 薄膜の配向制御と He ガス添加効果
- InAsヘテロ接合のMBE成長とデバイス応用
- 酸化亜鉛トランジスターの開発とバイオセンサー応用
- ラザフォード後方散乱法および二次イオン質量分析法によるハライド系気相成長法で作製したBi系超伝導薄膜の組成分析
- 3.高性能酸化亜鉛系FETと酸化物デバイス応用の広がり(ナノデバイス)
- 室温プロセスによるフレキシブル基板上酸化亜鉛薄膜トランジスタの作製
- フレキシブルデバイス応用を目指したセルフスイッチング型ナノダイオードの整流特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- フレキシブルデバイス応用を目指したセルフスイッチング型ナノダイオードの整流特性(機能ナノデバイス及び関連技術)