サブテラヘルツ波検出を目指したダイオード構造の作製と特性評価(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
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概要
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サブテラヘルツ波検出を目指したSb系ヘテロ構造ダイオードの作製と特性評価を行った.このデバイスはMBE法によるInAs/AlSb/AlxGa_<1-x>Sb/GaSbヘテロ構造から成っている.パラメータとしてAl_xGa_<1-x>SbのAl組成xとAlSb膜厚yを変化させI-V特性を測定し,I-V特性から検出感度γを計算した.その結果、x=0.15,y=1nmのものが最も高いγ=4.4V^<-1>が得られ,同じAl組成でy=2nmのものより2倍良い.また、Al組成が高くなると負性抵抗が現れる電圧値が低電圧側ヘシフトすることが分かり,さらにAl組成を高めることで特性改善が期待される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-12-01
著者
-
佐々 誠彦
大阪工業大学
-
井上 正崇
大阪工業大学
-
前元 利彦
大阪工業大学工学部電気工学科
-
井上 達也
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
高橋 寛
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
井上 正崇
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
前元 利彦
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
井上 正崇
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
佐々 誠彦
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
前元 利彦
大阪工業大学
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