InAs系メゾ構造における電子波干渉効果(量子効果デバイス及び関連技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
SiやGaAsと比較して電子の有効質量が小さなInAs/AlGaSbヘテロ構造の特徴について概説し,電子ビーム露光法とウエットエッチングにより作製したInAs系メゾ構造の磁気輸送特性について報告する.磁気輸送特性の実験結果と自己相関関数を用いた解析結果により,電子波の伝搬および干渉効果が支配していると考えられる現象について述べる.位相緩和時間の見積もりから,バリスティック領域にあるInAs系メゾ構造の電子波の干渉効果について考察する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-22
著者
-
佐々 誠彦
大阪工業大学
-
井上 正崇
大阪工業大学
-
前元 利彦
大阪工業大学工学部電気工学科
-
井上 正崇
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
中島 貴史
大阪工業大学新材料研究センター
-
中島 洋二
大阪工業大学新材料研究センター
-
中井 正人
大阪工業大学新材料研究センター
-
藤田 隆二
大阪工業大学 新材料研究センター
-
前元 利彦
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
井上 正崇
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
藤田 隆二
大阪工業大学新材料研究センター
-
佐々 誠彦
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
前元 利彦
大阪工業大学
関連論文
- パルスレーザー堆積法によるガラス基板上ZnO-TFT の作製と特性評価
- InAs薄膜からの高強度THz波放射の膜厚依存性
- C ドープ InGaP/GaAs HBTの信頼性
- 13a-K-7 AlSb/InAs共鳴トンネルダイオードによるInAs中のバリスティック電子のフォノンレプリカの直接観測
- InAs/(AlGa)Sbヘテロ構造を用いた超伝導弱結合素子の製作と特性評価
- 酸化亜鉛表面の有機分子修飾(半導体エレクトロニクス)
- 分子線エピタキシー法によるZnS/ZnOヘテロ接合の作製と界面反応
- シリコン基板を用いたZn_Mg_xO薄膜の分子線エピタキシー
- A 面サファイア基板を用いた単結晶 ZnO 薄膜の分子線エピタキシャル成長(半導体・エレクトロニクス)
- CS-9-1 ZnOトランジスタ応用について(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- ZnO/ZnMgO Hetero-MISFET におけるゲート絶縁膜の検討と特性評価
- InAs/AlGaSb量子細線3分岐構造における非線形電子輸送(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- 低温ZnOバッファ層を用いたガラス基板上ZnO薄膜のPLD成長
- サブテラヘルツ波検出を目指したダイオード構造の作製と特性評価
- 井戸内のイオン化不純物を考慮したZnO/ZnMgO多重量子井戸の電子状態の計算
- InAs/AlGaSb極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果
- InAs/AlGaSb極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
- サブテラヘルツ波検出を目指したダイオード構造の作製と特性評価(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- クリーンルームを用いた学部学生のためのデバイス製作実習教育
- ZnO/ZnMgOヘテロMISFETの作製と特性評価
- 26p-P-12 ポテンシャル障壁による分布反転生成と非線形伝導
- 強磁場下2次元電子系のエッジ状態間の散乱(I)
- 強磁場下2次元電子系のエッヂ状態間の散乱(II)
- 31a-Z-3 エッチ非平衡分布のフォノン自然放出による緩和
- 4a-C-13 エッジ非平衡分布の温度依存性
- 4a-C-12 エッヂ非平衡分布存在下での実験結果の解析
- 4a-C-4 2次元電子系の電荷密度不均一による線形磁気抵抗
- Ga1-xAlxNとZn1-xMgxOに関する第一原理計算を用いた分極状態の解析
- 高性能ZnO系FETの開発 : デバイス応用と高周波特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 高性能ZnO系FETの開発 : デバイス応用と高周波特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- InAs/AlGaSb量子細線3分岐構造における非線形電子輸送(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- InAs/AlGaSb極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
- シリコン基板を用いた単結晶酸化亜鉛薄膜の分子線エピタキシャル成長
- AFM酸化を用いて作製したInAs表面反転層およびInAs/AlGaSb量子井戸ナノスケール開放型ドット中での電子波干渉効果(半導体エレクトロニクス)
- InAs系メゾ構造における電子波干渉効果(量子効果デバイス及び関連技術)
- InAs系メゾ構造における電子波干渉効果(量子効果デバイス及び関連技術)
- 29pYS-7 InAs系メゾ構造における電子波伝幡
- 29pYS-7 InAs系メゾ構造における電子波伝幡
- InAs量子細線における磁気輸送特性
- レーザアブレーション法を用いたYBa_2Cu_3O_7_-_X薄膜の作製と評価
- Atomic Force Microscope(AFM)酸化プロセスによるInAsナノ・デバイスの作製と評価
- 6a-A2-5 整数量子ホール効果における電気伝導特性 : フィリングファクター変化の影響
- 3p-F-11 量子ホール効果に対する有限電場の効果 IV
- 3p-A-10 量子ホール効果に対する有限電場の効果II
- 3p-A-9 量子ホール効果に対する有限電場の効果I
- 28p-R-12 ゲート付試料における量子ホール効果のブレークダウン
- 28p-R-12 ゲート付試料における量子ホール効果のブレークダウン
- 6a-A2-6 微細ゲートを持つAlGaAs-GaAsヘテロ構造素子における量子ホール効果II
- 508 レーザ蒸着法による YBaCuO 薄膜の配向制御と He ガス添加効果
- InAs/Al(Ga)Sbヘテロ構造の界面制御と光物性
- InAsヘテロ接合のMBE成長とデバイス応用
- 半導体超薄膜の成長と物性評価
- 22pPSA-20 InAs/AlGaSb からのテラヘルツ電磁波放射
- SiをドープしたInAs/AlSb量子井戸構造のサブバンド間遷移と界面評価
- 13a-K-7 AlSb/InAs共鳴トンネルダイオードによるInAs中のバリスティック電子のフォノンレプリカの直接観測
- 酸化亜鉛トランジスターの開発とバイオセンサー応用
- ラザフォード後方散乱法および二次イオン質量分析法によるハライド系気相成長法で作製したBi系超伝導薄膜の組成分析
- Atomic Force Microscope(AFM)酸化プロセスによるInAsナノ・デバイスの作製と評価
- 高性能ZnO系FETの開発 : デバイス応用と高周波特性
- 高性能ZnO系FETの開発 : デバイス応用と高周波特性
- 分子線エピタキシャル成長によるIn系III-V族化合物半導体の自然形成量子ドット
- 半導体超薄膜の成長と物性評価-3-
- 単結晶酸化亜鉛薄膜に対する8MeVプロトンの照射効果
- 水溶液プロセスによる酸化亜鉛ナノロッドの作製とバイオセンサへの応用
- 高性能酸化亜鉛系FETと酸化物デバイス応用の広がり (小特集 ナノデバイス)
- 3.高性能酸化亜鉛系FETと酸化物デバイス応用の広がり(ナノデバイス)
- 酸化亜鉛薄膜の放射線耐性 (特集 酸化物半導体の新しい応用展開 : 酸化亜鉛,酸化ガリウム,さらに新しい材料を求めて)
- 第一原理計算によるウルツ鉱構造Ｚｎ１－ｘＭｇｘＯの自発分極解析
- 室温プロセスによるフレキシブル基板上酸化亜鉛薄膜トランジスタの作製
- 高性能酸化亜鉛系FETと酸化物デバイス応用の広がり
- α面サファイア基板上にエピタキシャル成長したＺｎＯおよび（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ単結晶薄膜のＸ線回折による評価
- WO3を添加したMgCr2O4-TiO2系P型セラミックガス感応素子の特性
- フレキシブルデバイス応用を目指したセルフスイッチング型ナノダイオードの整流特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- フレキシブルデバイス応用を目指したセルフスイッチング型ナノダイオードの整流特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 30p-G-3 IQHEに対するEdge Currentと後方散乱の影響,及び電圧端子の役割(30pG 半導体シンポジウム:量子ホール効果の現状)
- 28p-G-5 量子ホール効果に対する非平衡担体注入の効果(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))