InAs/AlGaSb量子細線3分岐構造における非線形電子輸送(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
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概要
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InAs/AlGaSbバリスティックデバイスにおける非線形電子輸送特性と整流効果について報告する.InAs/AlGaSbヘテロ構造に3つの量子細線で構成されるT字型3分岐構造を作製し,77Kおよび300Kで左右のブランチに電圧V_L,V_R険を印加した時の中央のブランチの電圧V_Cを測定した.その結果,中央ブランチの電圧V_Cはバリスティック伝導に起因する明瞭な非線形性を示した.また,左右のブランチにV_L=-V_Rの電圧を印加(プッシュプル形式)したときに,印加する電圧の極性によらずV_Cは負の電圧が観測された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-01-23
著者
-
佐々 誠彦
大阪工業大学
-
井上 正崇
大阪工業大学
-
前元 利彦
大阪工業大学工学部電気工学科
-
藤原 健司
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
小山 政俊
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
井上 達也
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
天野 直樹
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
井上 正崇
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
前元 利彦
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
井上 正崇
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
佐々 誠彦
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
前元 利彦
大阪工業大学
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