A 面サファイア基板を用いた単結晶 ZnO 薄膜の分子線エピタキシャル成長(<特集>半導体・エレクトロニクス)
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概要
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This paper describes radical-source molecular beam epitaxial growth of ZnO films on a-plane sapphire substrates. Reflection high-energy electron diffraction observation and x-ray diffraction measurement show that single-crystalline ZnO (0001) films without any rotational domains are obtained on the sapphire substrates. Photoluminescence spectra measured at 300K exhibit an intense emission peak from free excitons. Hall measurement shows that phonon scattering becomes dominant with increasing temperature and a relatively high electron mobility of∿100cm^2/Vs with a low residual electron density of∿4×10^<17>cm^<-3> at 300K is achieved.
- 社団法人日本材料学会の論文
- 2003-12-15
著者
-
佐々 誠彦
大阪工業大学
-
井上 正崇
大阪工業大学
-
小池 一歩
大阪工業大学バイオベンチャーセンター
-
矢野 満明
大阪工業大学バイオベンチャーセンター
-
尾形 健一
大阪工業大学バイオベンチャーセンター
-
小室 友範
大阪工業大学新材料研究センター
-
延 鳳平
大阪工業大学新材料研究センター
-
小池 一歩
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
矢野 満明
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
矢野 満明
大阪工業大学
-
小池 一歩
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
井上 正崇
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
佐々 誠彦
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
尾形 健一
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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