CdTe単結晶表面に対するプラズマエッチングとCd雰囲気中熱処理の効果
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概要
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The effect of H2 plasma irradiation on a Cl-doped CdTe(111)B crystal was studied by comparing with that of the same irradiation but combined with a post-irradiation thermal annealing in a Cd ambient. Photoluminescence (PL) property of the CdTe crystal was found to be degraded by a two-months storage in a low-pressure desiccator. Electron spectroscopy for chemical analysis revealed that native oxide such as TeO2 was formed on the CdTe surface after the storage. Irradiation by H2 plasma was effective to remove the oxide completely. However, the PL property after the H2 plasma irradiation did not recover the original one due to the formation of Cd vacancy by ion bombardment. The post-irradiation annealing was found to be effective to recover the damage by ion bombardment.
- 日本真空協会の論文
- 2006-03-20
著者
-
越智 秀
大阪工業大学 インキュベーション・ラボ
-
矢野 満明
大阪工業大学バイオベンチャーセンター
-
小池 一歩
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
矢野 満明
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
矢野 満明
大阪工業大学
-
加藤 拓馬
大阪工業大学 新材料研究センター
-
原田 寿史
大阪工業大学 新材料研究センター
-
小池 一歩
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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