分子線エピキシー法でGaAs(100)基板上に成長した高品質CdTe(100)薄膜と InSb/CdTeおよびPbTe/CdTeヘテロ接合
スポンサーリンク
概要
著者
-
矢野 満明
大阪工業大学バイオベンチャーセンター
-
小池 一歩
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
矢野 満明
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
矢野 満明
大阪工業大学
-
小池 一歩
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
関連論文
- 自己形成的に分子線エピタキシャル成長したInAs/GaAs多重積層量子ドットからのエキシトン発光
- Application 酸化亜鉛薄膜を用いた透明トランジスタ開発とバイオメディカルセンサへの応用
- 酸化亜鉛表面の有機分子修飾(半導体エレクトロニクス)
- 分子線エピタキシー法によるZnS/ZnOヘテロ接合の作製と界面反応
- シリコン基板を用いたZn_Mg_xO薄膜の分子線エピタキシー
- A 面サファイア基板を用いた単結晶 ZnO 薄膜の分子線エピタキシャル成長(半導体・エレクトロニクス)
- CS-9-1 ZnOトランジスタ応用について(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- ZnO/ZnMgO Hetero-MISFET におけるゲート絶縁膜の検討と特性評価
- 井戸内のイオン化不純物を考慮したZnO/ZnMgO多重量子井戸の電子状態の計算
- a面サファイア基板上にエピタキシャル成長したZnOおよび(Zn,Mg)O単結晶薄膜のX線回折による評価
- クリーンルームを用いた学部学生のためのデバイス製作実習教育
- ZnO/ZnMgOヘテロMISFETの作製と特性評価
- Ga1-xAlxNとZn1-xMgxOに関する第一原理計算を用いた分極状態の解析
- 高移動度ZnO/ZnMgO電界効果トランジスタとバイオセンサー応用
- 高性能ZnO系FETの開発 : デバイス応用と高周波特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 高性能ZnO系FETの開発 : デバイス応用と高周波特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- (100)GaAs基板上CdTe薄膜の分子線エピタキシャル成長初期過程の観察
- GaAs(100)を基板としたInSb/CdTe単一量子井戸構造の分子線エピタキシャル成長
- (100)GaAs基板上に分子線エピタキシャル成長したCdTe薄膜の結晶性改善
- CdTe単結晶表面に対するプラズマエッチングとCd雰囲気中熱処理の効果
- 中赤外線発光素子用PbTe/CdTe量子井戸の分子線エピタキシャル成長とフォトルミネッセンス解析(半導体エレクトロニクス)
- シリコン基板を用いた単結晶酸化亜鉛薄膜の分子線エピタキシャル成長
- 分子線エピキシー法でGaAs(100)基板上に成長した高品質CdTe(100)薄膜と InSb/CdTeおよびPbTe/CdTeヘテロ接合
- GaAs(100)基盤を用いたPbTe/CdTeヘテロ構造の分子線エピタキシャル成長
- InAs微粒子をAlGaAs中に多重積層した自然形成量子構造の分子線エピタキシャル成長 : 多重積層InAs量子ドットのMBE成長
- Cd, Te 分子線で照射されたInSb基板表面における反応生成物
- InAs/Al(Ga)Sbヘテロ構造の界面制御と光物性
- InAsヘテロ接合のMBE成長とデバイス応用
- 半導体超薄膜の成長と物性評価
- スッパタリングによる(CdZn)S混晶半導体薄膜の特性
- スパッタリング法によるCdS/CuInSe_2ヘテロ接合の特性
- 酸化亜鉛トランジスターの開発とバイオセンサー応用
- ラザフォード後方散乱法および二次イオン質量分析法によるハライド系気相成長法で作製したBi系超伝導薄膜の組成分析
- 薄膜電子材料に関する研究--ビスマス系酸化物高温超伝導薄膜のハライドCVDとマイクロブリッジ特性
- スパッタ法によるCuInSe2多結晶膜の特性
- プレコ-ト法によるPb添加BSCCOスパッタ薄膜の超伝導特性
- 分子線エピタキシ-法によるGaSb/GaAsヘテロ接合界面の制御
- 分子線エピタキシ-法によるAlGaAs-GaAsヘテロ接合の微細構造制御
- 高性能ZnO系FETの開発 : デバイス応用と高周波特性
- 高性能ZnO系FETの開発 : デバイス応用と高周波特性
- 分子線エピタキシャル成長によるIn系III-V族化合物半導体の自然形成量子ドット
- 単結晶酸化亜鉛薄膜に対する8MeVプロトンの照射効果
- 水溶液プロセスによる酸化亜鉛ナノロッドの作製とバイオセンサへの応用
- 3.高性能酸化亜鉛系FETと酸化物デバイス応用の広がり(ナノデバイス)
- 酸化亜鉛薄膜の放射線耐性 (特集 酸化物半導体の新しい応用展開 : 酸化亜鉛,酸化ガリウム,さらに新しい材料を求めて)
- CdTe障壁層中におけるPb1-xSnxTeナノドットの自己組織化とフォトルミネッセンス特性
- 第一原理計算によるウルツ鉱構造Ｚｎ１－ｘＭｇｘＯの自発分極解析
- 高性能酸化亜鉛系FETと酸化物デバイス応用の広がり
- α面サファイア基板上にエピタキシャル成長したＺｎＯおよび（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ単結晶薄膜のＸ線回折による評価
- フォトリソグラフィと微細レーザ加工による高速応答サーモパイルの作製
- WO3を添加したMgCr2O4-TiO2系P型セラミックガス感応素子の特性