高性能ZnO系FETの開発 : デバイス応用と高周波特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
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概要
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酸化亜鉛(ZnO)は低温成膜が可能なワイドギャップ半導体で、ガラス基板上にスパッタ法などで多結晶膜を形成し、トランジスタを作製することが可能なため、将来、様々なデバイス応用が期待できる。ZnO系FETの潜在的な性能評価のため、MBE成膜した単結晶ヘテロ構造でFETを試作し、そのDCおよび高周波特性について評価した結果について述べる。さらに、センサーなどへの応用、スパッタ法など他の成膜方法で作製したデバイスの特性についても報告する。
- 2010-01-06
著者
-
佐々 誠彦
大阪工業大学
-
井上 正崇
大阪工業大学
-
前元 利彦
大阪工業大学工学部電気工学科
-
小池 一歩
大阪工業大学バイオベンチャーセンター
-
矢野 満明
大阪工業大学バイオベンチャーセンター
-
小池 一歩
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
井上 正崇
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
矢野 満明
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
矢野 満明
大阪工業大学
-
小池 一歩
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
前元 利彦
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
井上 正崇
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
佐々 誠彦
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
前元 利彦
大阪工業大学
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