CdTe障壁層中におけるPb<font size="-1">1-x</font>Sn<font size="-1">x</font>Teナノドットの自己組織化とフォトルミネッセンス特性
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概要
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This paper describes molecular beam epitaxial growth and photoluminescence properties of single-crystalline Pb<font size="-1">0.7</font>Sn<font size="-1">0.3</font>Te nanodots embedded in a wide bandgap CdTe host matrix. These nanodots were self-organized by postgrowth annealing of a lattice-type mismatched Pb<font size="-1">0.7</font>Sn<font size="-1">0.3</font>Te(rocksalt)/CdTe(zincblende) single quantum well. A highly efficient midinfrared emission in the 3∼5μm atmospheric window was observed from the nanodots even at higher temperatures than 300K. By considering both effects of strain-induced band deformation and quantum confinement in nanodot potentials, the emission energy observed was found to agree with the theoretical transition energy in the type I quantum well.
著者
-
小池 一歩
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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矢野 満明
大阪工業大学
-
岩本 敦
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
中田 裕紀
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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