高性能酸化亜鉛系FETと酸化物デバイス応用の広がり
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2012-04-01
著者
-
佐々 誠彦
大阪工業大学
-
小池 一歩
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
矢野 満明
大阪工業大学
-
前元 利彦
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
尾形 健一
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
関連論文
- パルスレーザー堆積法によるガラス基板上ZnO-TFT の作製と特性評価
- InAs薄膜からの高強度THz波放射の膜厚依存性
- C ドープ InGaP/GaAs HBTの信頼性
- 自己形成的に分子線エピタキシャル成長したInAs/GaAs多重積層量子ドットからのエキシトン発光
- InAs/(AlGa)Sbヘテロ構造を用いた超伝導弱結合素子の製作と特性評価
- Application 酸化亜鉛薄膜を用いた透明トランジスタ開発とバイオメディカルセンサへの応用
- 酸化亜鉛表面の有機分子修飾(半導体エレクトロニクス)
- 分子線エピタキシー法によるZnS/ZnOヘテロ接合の作製と界面反応
- シリコン基板を用いたZn_Mg_xO薄膜の分子線エピタキシー
- A 面サファイア基板を用いた単結晶 ZnO 薄膜の分子線エピタキシャル成長(半導体・エレクトロニクス)
- CS-9-1 ZnOトランジスタ応用について(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- InAs/AlGaSb量子細線3分岐構造における非線形電子輸送(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- 低温ZnOバッファ層を用いたガラス基板上ZnO薄膜のPLD成長
- サブテラヘルツ波検出を目指したダイオード構造の作製と特性評価
- InAs/AlGaSb極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果
- InAs/AlGaSb極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
- サブテラヘルツ波検出を目指したダイオード構造の作製と特性評価(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- クリーンルームを用いた学部学生のためのデバイス製作実習教育
- 26p-P-12 ポテンシャル障壁による分布反転生成と非線形伝導
- 強磁場下2次元電子系のエッジ状態間の散乱(I)
- 強磁場下2次元電子系のエッヂ状態間の散乱(II)
- 31a-Z-3 エッチ非平衡分布のフォノン自然放出による緩和
- 4a-C-13 エッジ非平衡分布の温度依存性
- 4a-C-12 エッヂ非平衡分布存在下での実験結果の解析
- 4a-C-4 2次元電子系の電荷密度不均一による線形磁気抵抗
- Ga1-xAlxNとZn1-xMgxOに関する第一原理計算を用いた分極状態の解析
- 高移動度ZnO/ZnMgO電界効果トランジスタとバイオセンサー応用
- 高性能ZnO系FETの開発 : デバイス応用と高周波特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 高性能ZnO系FETの開発 : デバイス応用と高周波特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- (100)GaAs基板上CdTe薄膜の分子線エピタキシャル成長初期過程の観察
- GaAs(100)を基板としたInSb/CdTe単一量子井戸構造の分子線エピタキシャル成長
- (100)GaAs基板上に分子線エピタキシャル成長したCdTe薄膜の結晶性改善
- InAs/AlGaSb量子細線3分岐構造における非線形電子輸送(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- InAs/AlGaSb極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
- CdTe単結晶表面に対するプラズマエッチングとCd雰囲気中熱処理の効果
- 中赤外線発光素子用PbTe/CdTe量子井戸の分子線エピタキシャル成長とフォトルミネッセンス解析(半導体エレクトロニクス)
- シリコン基板を用いた単結晶酸化亜鉛薄膜の分子線エピタキシャル成長
- 分子線エピキシー法でGaAs(100)基板上に成長した高品質CdTe(100)薄膜と InSb/CdTeおよびPbTe/CdTeヘテロ接合
- GaAs(100)基盤を用いたPbTe/CdTeヘテロ構造の分子線エピタキシャル成長
- InAs微粒子をAlGaAs中に多重積層した自然形成量子構造の分子線エピタキシャル成長 : 多重積層InAs量子ドットのMBE成長
- Cd, Te 分子線で照射されたInSb基板表面における反応生成物
- AFM酸化を用いて作製したInAs表面反転層およびInAs/AlGaSb量子井戸ナノスケール開放型ドット中での電子波干渉効果(半導体エレクトロニクス)
- InAs系メゾ構造における電子波干渉効果(量子効果デバイス及び関連技術)
- InAs系メゾ構造における電子波干渉効果(量子効果デバイス及び関連技術)
- 29pYS-7 InAs系メゾ構造における電子波伝幡
- 29pYS-7 InAs系メゾ構造における電子波伝幡
- InAs量子細線における磁気輸送特性
- レーザアブレーション法を用いたYBa_2Cu_3O_7_-_X薄膜の作製と評価
- Atomic Force Microscope(AFM)酸化プロセスによるInAsナノ・デバイスの作製と評価
- 6a-A2-5 整数量子ホール効果における電気伝導特性 : フィリングファクター変化の影響
- 3p-F-11 量子ホール効果に対する有限電場の効果 IV
- 3p-A-10 量子ホール効果に対する有限電場の効果II
- 3p-A-9 量子ホール効果に対する有限電場の効果I
- 28p-R-12 ゲート付試料における量子ホール効果のブレークダウン
- 28p-R-12 ゲート付試料における量子ホール効果のブレークダウン
- 6a-A2-6 微細ゲートを持つAlGaAs-GaAsヘテロ構造素子における量子ホール効果II
- 508 レーザ蒸着法による YBaCuO 薄膜の配向制御と He ガス添加効果
- InAs/Al(Ga)Sbヘテロ構造の界面制御と光物性
- InAsヘテロ接合のMBE成長とデバイス応用
- スッパタリングによる(CdZn)S混晶半導体薄膜の特性
- スパッタリング法によるCdS/CuInSe_2ヘテロ接合の特性
- 酸化亜鉛トランジスターの開発とバイオセンサー応用
- ラザフォード後方散乱法および二次イオン質量分析法によるハライド系気相成長法で作製したBi系超伝導薄膜の組成分析
- 薄膜電子材料に関する研究--ビスマス系酸化物高温超伝導薄膜のハライドCVDとマイクロブリッジ特性
- スパッタ法によるCuInSe2多結晶膜の特性
- プレコ-ト法によるPb添加BSCCOスパッタ薄膜の超伝導特性
- 分子線エピタキシ-法によるGaSb/GaAsヘテロ接合界面の制御
- 分子線エピタキシ-法によるAlGaAs-GaAsヘテロ接合の微細構造制御
- Atomic Force Microscope(AFM)酸化プロセスによるInAsナノ・デバイスの作製と評価
- 高性能ZnO系FETの開発 : デバイス応用と高周波特性
- 高性能ZnO系FETの開発 : デバイス応用と高周波特性
- 分子線エピタキシャル成長によるIn系III-V族化合物半導体の自然形成量子ドット
- 単結晶酸化亜鉛薄膜に対する8MeVプロトンの照射効果
- 水溶液プロセスによる酸化亜鉛ナノロッドの作製とバイオセンサへの応用
- 高性能酸化亜鉛系FETと酸化物デバイス応用の広がり (小特集 ナノデバイス)
- 3.高性能酸化亜鉛系FETと酸化物デバイス応用の広がり(ナノデバイス)
- CdTe障壁層中におけるPb1-xSnxTeナノドットの自己組織化とフォトルミネッセンス特性
- 第一原理計算によるウルツ鉱構造Ｚｎ１－ｘＭｇｘＯの自発分極解析
- 室温プロセスによるフレキシブル基板上酸化亜鉛薄膜トランジスタの作製
- 高性能酸化亜鉛系FETと酸化物デバイス応用の広がり
- α面サファイア基板上にエピタキシャル成長したＺｎＯおよび（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ単結晶薄膜のＸ線回折による評価
- フォトリソグラフィと微細レーザ加工による高速応答サーモパイルの作製
- WO3を添加したMgCr2O4-TiO2系P型セラミックガス感応素子の特性
- フレキシブルデバイス応用を目指したセルフスイッチング型ナノダイオードの整流特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 30p-G-3 IQHEに対するEdge Currentと後方散乱の影響,及び電圧端子の役割(30pG 半導体シンポジウム:量子ホール効果の現状)
- 28p-G-5 量子ホール効果に対する非平衡担体注入の効果(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))