InAs/AlGaSb極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
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概要
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バリスティック電子輸送を利用したデバイス応用の一つにバリスティック整流デバイスがある.バリステイック電子の伝搬する方向をアンチドット等のエッチング境界面で散乱することにより,デバイス内にポテンシヤルの傾きを生じさせ,整流効果を得るデバイスであり,pn接合を用いたダイオードと動作原理は異なる.本研究では室温で約500nmと比較的長い平均自由行程を有するInAs/AlGaSbヘテロ構造にアンチドットを有する構造や非対称な極微構造を作製し,その電子輸送特性と整流効果の温度依存性について詳しく調べた.その結果,種々の構造において明瞭な整流効果が観測され,電圧端子にwaveguide構造を導入したデバイスにおいては,300Kで整流特性が観測された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-01-25
著者
-
佐々 誠彦
大阪工業大学
-
前元 利彦
大阪工業大学工学部電気工学科
-
小山 政俊
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
井上 達也
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
高橋 寛
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
井上 正宗
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
井上 正崇
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
前元 利彦
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
井上 正崇
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
佐々 誠彦
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
前元 利彦
大阪工業大学
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