井上 正崇 | 大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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概要
関連著者
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井上 正崇
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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井上 正崇
大阪工業大学
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佐々 誠彦
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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佐々 誠彦
大阪工業大学
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前元 利彦
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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井上 正崇
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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前元 利彦
大阪工業大学工学部電気工学科
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前元 利彦
大阪工業大学
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矢野 満明
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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矢野 満明
大阪工業大学
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矢野 満明
大阪工業大学バイオベンチャーセンター
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小池 一歩
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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小池 一歩
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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小池 一歩
大阪工業大学バイオベンチャーセンター
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井上 達也
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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小山 政俊
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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高橋 寛
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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岩井 嘉男
大阪工業大学
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中島 洋二
大阪工業大学新材料研究センター
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尾形 健一
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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越智 秀
大阪工業大学 インキュベーション・ラボ
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尾形 健一
大阪工業大学バイオベンチャーセンター
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中島 貴史
大阪工業大学新材料研究センター
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中井 正人
大阪工業大学新材料研究センター
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陽 完治
大阪工業大学
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川原 久輝
大阪工業大学
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藤原 健司
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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濱 憲治
大阪工業大学新材料研究センター
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小室 友範
大阪工業大学新材料研究センター
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天野 直樹
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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井上 正宗
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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藤田 隆二
大阪工業大学 新材料研究センター
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大矢 章雄
大阪工業大学工学研究科
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福岡 佳宏
大阪工業大学工学研究科
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藤田 隆二
大阪工業大学新材料研究センター
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斗内 政吉
阪大超伝導フォトニクス
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鈴木 正人
大阪大学 レーザーエネルギー学研究センター
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斗内 政吉
大阪大学レーザーエネルギー学研究センター
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竹家 啓
大阪大学大学院基礎工学研究科
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喜夛 敏弘
大阪工業大学大学院
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紀和 利彦
岡山大
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升田 公三
筑波大学物質工学系
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渡辺 正則
イオン工学センター
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尾形 健一
広島大学先端物質科学研究科
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平田 泰之
大阪工業大学新材料研究センター
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高田 元陽
大阪工業大学新材料研究センター
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濱 拓馬
大阪工業大学新材料研究センター
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延 鳳平
大阪工業大学新材料研究センター
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矢野 清明
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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斗内 政吉
大阪大
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紀和 利彦
阪大超伝導セ
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Tani M
Research Center For Superconductor Photonics Osaka University
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Tonouchi Masayoshi
Powersource And Device Development Daihen Corporation
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谷手 隆紀
大阪工業大学新材料研究センター
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本傳 高義
大阪工業大学新材料研究センター
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藤田 隆洋
大阪工業大学新材料研究センター
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一宇 正彦
大阪工業大学工学研究科
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坂本 浩道
イオン工学センター
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淀川 聡
大阪工業大学大学院
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渡辺 正則
イオン工学研
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渡邉 正則
(株)イオン工学研究所
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八島 崇
大阪工業大学
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歌津 貴繁
大阪工業大学工学部
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宮崎 修樹
大阪工業大学工学部
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永重 浩章
大阪工業大学工学部
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山下 貴弘
大阪工業大学
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関 喜隆
大阪工業大学 新材料研究センター
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鈴木 正人
阪大超伝導フォト研
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中島 洋二
大阪工大
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佐々 誠彦
大阪工大
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井上 正崇
大阪工大
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斗内 政吉
阪大
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上辻 靖智
大阪工業大学
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佐々 誠彦
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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野村 英太
大阪工業大学 工学部 機械工学科
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上辻 靖智
大阪工業大学 工学部 機械工学科
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矢野 満明
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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Takeya Kei
Division of Chemical Engineering, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan
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Takeya Kei
Institute of Laser Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565-0871, Japan
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斗内 政吉
阪大超伝導セ
著作論文
- パルスレーザー堆積法によるガラス基板上ZnO-TFT の作製と特性評価
- InAs薄膜からの高強度THz波放射の膜厚依存性
- 13a-K-7 AlSb/InAs共鳴トンネルダイオードによるInAs中のバリスティック電子のフォノンレプリカの直接観測
- 酸化亜鉛表面の有機分子修飾(半導体エレクトロニクス)
- 分子線エピタキシー法によるZnS/ZnOヘテロ接合の作製と界面反応
- シリコン基板を用いたZn_Mg_xO薄膜の分子線エピタキシー
- A 面サファイア基板を用いた単結晶 ZnO 薄膜の分子線エピタキシャル成長(半導体・エレクトロニクス)
- CS-9-1 ZnOトランジスタ応用について(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- ZnO/ZnMgO Hetero-MISFET におけるゲート絶縁膜の検討と特性評価
- InAs/AlGaSb量子細線3分岐構造における非線形電子輸送(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- 低温ZnOバッファ層を用いたガラス基板上ZnO薄膜のPLD成長
- サブテラヘルツ波検出を目指したダイオード構造の作製と特性評価
- 井戸内のイオン化不純物を考慮したZnO/ZnMgO多重量子井戸の電子状態の計算
- InAs/AlGaSb極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果
- InAs/AlGaSb極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
- サブテラヘルツ波検出を目指したダイオード構造の作製と特性評価(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- クリーンルームを用いた学部学生のためのデバイス製作実習教育
- 高性能ZnO系FETの開発 : デバイス応用と高周波特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 高性能ZnO系FETの開発 : デバイス応用と高周波特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- InAs/AlGaSb量子細線3分岐構造における非線形電子輸送(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- InAs/AlGaSb極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
- シリコン基板を用いた単結晶酸化亜鉛薄膜の分子線エピタキシャル成長
- AFM酸化を用いて作製したInAs表面反転層およびInAs/AlGaSb量子井戸ナノスケール開放型ドット中での電子波干渉効果(半導体エレクトロニクス)
- InAs系メゾ構造における電子波干渉効果(量子効果デバイス及び関連技術)
- InAs系メゾ構造における電子波干渉効果(量子効果デバイス及び関連技術)
- 29pYS-7 InAs系メゾ構造における電子波伝幡
- 29pYS-7 InAs系メゾ構造における電子波伝幡
- InAs量子細線における磁気輸送特性
- レーザアブレーション法を用いたYBa_2Cu_3O_7_-_X薄膜の作製と評価
- Atomic Force Microscope(AFM)酸化プロセスによるInAsナノ・デバイスの作製と評価
- 508 レーザ蒸着法による YBaCuO 薄膜の配向制御と He ガス添加効果
- InAs/Al(Ga)Sbヘテロ構造の界面制御と光物性
- InAsヘテロ接合のMBE成長とデバイス応用
- 半導体超薄膜の成長と物性評価
- 22pPSA-20 InAs/AlGaSb からのテラヘルツ電磁波放射
- 13a-K-7 AlSb/InAs共鳴トンネルダイオードによるInAs中のバリスティック電子のフォノンレプリカの直接観測
- ラザフォード後方散乱法および二次イオン質量分析法によるハライド系気相成長法で作製したBi系超伝導薄膜の組成分析
- Atomic Force Microscope(AFM)酸化プロセスによるInAsナノ・デバイスの作製と評価
- 高性能ZnO系FETの開発 : デバイス応用と高周波特性
- 高性能ZnO系FETの開発 : デバイス応用と高周波特性
- 分子線エピタキシャル成長によるIn系III-V族化合物半導体の自然形成量子ドット
- 半導体超薄膜の成長と物性評価-3-
- 第一原理計算によるウルツ鉱構造Ｚｎ１－ｘＭｇｘＯの自発分極解析