佐々 誠彦 | 大阪工業大学
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概要
関連著者
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佐々 誠彦
大阪工業大学
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井上 正崇
大阪工業大学
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井上 正崇
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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佐々 誠彦
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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前元 利彦
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
前元 利彦
大阪工業大学工学部電気工学科
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小池 一歩
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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井上 正崇
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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矢野 満明
大阪工業大学
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前元 利彦
大阪工業大学
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佐々 誠彦
富士通研究所
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小宮山 進
東大教養
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佐々 誠彦
富士通厚木研
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小池 一歩
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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矢野 満明
大阪工業大学バイオベンチャーセンター
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矢野 満明
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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平井 宏
東大教養
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藤井 俊夫
富士通厚木研
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藤井 俊夫
富士通研究所
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小池 一歩
大阪工業大学バイオベンチャーセンター
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藤井 俊夫
(株)富士通研究所
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平井 宏
東大院総合
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尾形 健一
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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井上 達也
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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冷水 佐寿
富士通研
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冷水 佐寿
富士通厚木研
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小山 政俊
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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高増 正
東大教養
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高橋 寛
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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越智 秀
大阪工業大学 インキュベーション・ラボ
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尾形 健一
大阪工業大学バイオベンチャーセンター
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中島 貴史
大阪工業大学新材料研究センター
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中島 洋二
大阪工業大学新材料研究センター
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中井 正人
大阪工業大学新材料研究センター
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松田 祐司
東大教養
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小宮山 進
東大院総合文化
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藤原 健司
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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冷水 佐壽
富士通研究所
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濱 憲治
大阪工業大学新材料研究センター
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小室 友範
大阪工業大学新材料研究センター
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天野 直樹
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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井上 正宗
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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青木 隆裕
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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藤田 隆二
大阪工業大学 新材料研究センター
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大矢 章雄
大阪工業大学工学研究科
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谷林 慧
東大院総合
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谷林 慧
東大工
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上辻 靖智
大阪工業大学
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藤田 隆二
大阪工業大学新材料研究センター
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小宮山 進
東大院総合
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谷林 慧
京大工
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上辻 靖智
大阪工業大学工学部
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上田 修
(株)富士通研究所
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上田 修
株)富士通研究所
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上田 修
富士通研究所・材料技術研究所
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川野 明弘
富士通研究所
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高橋 剛
富士通研究所
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今西 健治
富士通研究所
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富岡 健
富士通研究所
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喜夛 敏弘
大阪工業大学大学院
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新居 英明
東大教養
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石神 龍哉
若狭湾エネルギー研究センター
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久米 恭
若狭湾エネルギー研究センター
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富岡 健
株式会社富士通研究所
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尾形 健一
広島大学先端物質科学研究科
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平田 泰之
大阪工業大学新材料研究センター
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高田 元陽
大阪工業大学新材料研究センター
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濱 拓馬
大阪工業大学新材料研究センター
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延 鳳平
大阪工業大学新材料研究センター
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矢野 清明
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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佐々木 誠彦
富士通厚木研
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大沢 基
東大教養
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飯田 俊
大阪工業大学工学部機械工学科
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福田 康人
大阪工業大学大学院工学研究科機械工学専攻
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谷手 隆紀
大阪工業大学新材料研究センター
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本傳 高義
大阪工業大学新材料研究センター
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藤田 隆洋
大阪工業大学新材料研究センター
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一宇 正彦
大阪工業大学工学研究科
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淀川 聡
大阪工業大学大学院
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福田 康人
大阪工業大学大学院工学研究科
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大松 繁
大阪工業大学
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權田 俊一
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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前元 利彦
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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天野 武志
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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藤本 龍吾
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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土橋 秀章
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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稲葉 克彦
(株)リガクX線研究所
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佐々 誠彦
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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野村 英太
大阪工業大学 工学部 機械工学科
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上辻 靖智
大阪工業大学 工学部 機械工学科
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上辻 靖智
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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矢野 満明
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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木村 祐太
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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日垣 友宏
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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大松 繁
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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寺田 二郎
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
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平原 陽介
大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター
-
木村 祐太
大阪工業大学
著作論文
- C ドープ InGaP/GaAs HBTの信頼性
- 酸化亜鉛表面の有機分子修飾(半導体エレクトロニクス)
- 分子線エピタキシー法によるZnS/ZnOヘテロ接合の作製と界面反応
- シリコン基板を用いたZn_Mg_xO薄膜の分子線エピタキシー
- A 面サファイア基板を用いた単結晶 ZnO 薄膜の分子線エピタキシャル成長(半導体・エレクトロニクス)
- CS-9-1 ZnOトランジスタ応用について(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- InAs/AlGaSb量子細線3分岐構造における非線形電子輸送(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- InAs/AlGaSb極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果
- InAs/AlGaSb極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
- サブテラヘルツ波検出を目指したダイオード構造の作製と特性評価(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- クリーンルームを用いた学部学生のためのデバイス製作実習教育
- 26p-P-12 ポテンシャル障壁による分布反転生成と非線形伝導
- 強磁場下2次元電子系のエッジ状態間の散乱(I)
- 強磁場下2次元電子系のエッヂ状態間の散乱(II)
- 31a-Z-3 エッチ非平衡分布のフォノン自然放出による緩和
- 4a-C-13 エッジ非平衡分布の温度依存性
- 4a-C-12 エッヂ非平衡分布存在下での実験結果の解析
- 4a-C-4 2次元電子系の電荷密度不均一による線形磁気抵抗
- Ga1-xAlxNとZn1-xMgxOに関する第一原理計算を用いた分極状態の解析
- 高性能ZnO系FETの開発 : デバイス応用と高周波特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 高性能ZnO系FETの開発 : デバイス応用と高周波特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- InAs/AlGaSb量子細線3分岐構造における非線形電子輸送(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- InAs/AlGaSb極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
- シリコン基板を用いた単結晶酸化亜鉛薄膜の分子線エピタキシャル成長
- AFM酸化を用いて作製したInAs表面反転層およびInAs/AlGaSb量子井戸ナノスケール開放型ドット中での電子波干渉効果(半導体エレクトロニクス)
- InAs系メゾ構造における電子波干渉効果(量子効果デバイス及び関連技術)
- InAs系メゾ構造における電子波干渉効果(量子効果デバイス及び関連技術)
- 29pYS-7 InAs系メゾ構造における電子波伝幡
- 29pYS-7 InAs系メゾ構造における電子波伝幡
- InAs量子細線における磁気輸送特性
- Atomic Force Microscope(AFM)酸化プロセスによるInAsナノ・デバイスの作製と評価
- 6a-A2-5 整数量子ホール効果における電気伝導特性 : フィリングファクター変化の影響
- 3p-F-11 量子ホール効果に対する有限電場の効果 IV
- 3p-A-10 量子ホール効果に対する有限電場の効果II
- 3p-A-9 量子ホール効果に対する有限電場の効果I
- 28p-R-12 ゲート付試料における量子ホール効果のブレークダウン
- 28p-R-12 ゲート付試料における量子ホール効果のブレークダウン
- 6a-A2-6 微細ゲートを持つAlGaAs-GaAsヘテロ構造素子における量子ホール効果II
- 酸化亜鉛トランジスターの開発とバイオセンサー応用
- Atomic Force Microscope(AFM)酸化プロセスによるInAsナノ・デバイスの作製と評価
- 高性能ZnO系FETの開発 : デバイス応用と高周波特性
- 高性能ZnO系FETの開発 : デバイス応用と高周波特性
- 単結晶酸化亜鉛薄膜に対する8MeVプロトンの照射効果
- 水溶液プロセスによる酸化亜鉛ナノロッドの作製とバイオセンサへの応用
- 3.高性能酸化亜鉛系FETと酸化物デバイス応用の広がり(ナノデバイス)
- 第一原理計算によるウルツ鉱構造Zn1-xMgxOの自発分極解析
- 室温プロセスによるフレキシブル基板上酸化亜鉛薄膜トランジスタの作製
- 高性能酸化亜鉛系FETと酸化物デバイス応用の広がり
- α面サファイア基板上にエピタキシャル成長したZnOおよび(Zn,Mg)O単結晶薄膜のX線回折による評価
- WO3を添加したMgCr2O4-TiO2系P型セラミックガス感応素子の特性
- 30p-G-3 IQHEに対するEdge Currentと後方散乱の影響,及び電圧端子の役割(30pG 半導体シンポジウム:量子ホール効果の現状)
- 28p-G-5 量子ホール効果に対する非平衡担体注入の効果(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))