上田 修 | 株)富士通研究所
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概要
関連著者
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上田 修
株)富士通研究所
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上田 修
(株)富士通研究所
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上田 修
富士通研究所・材料技術研究所
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清水 紀嘉
富士通研究所
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北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
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田中 厚志
(株)富士通研究所ストレージ研究所
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清水 豊
(株)富士通研究所ストレージ研究所
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宮島 豊生
株式会社富士通研究所ナノ電子材料研究部
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宮島 豊生
(株)富士通研究所
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後藤 康之
(株)富士通研究所
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上田 修
株式会社富士通研究所材料・環境技術研究所
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上田 修
株式会社 富士通研究所 基盤技術研究所
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川野 明弘
富士通研究所
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高橋 剛
富士通研究所
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今西 健治
富士通研究所
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富岡 健
富士通研究所
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藤井 俊夫
富士通研究所
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佐々 誠彦
大阪工業大学
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清水 紀嘉
(株)富士通研究所
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北田 秀樹
(株)富士通研究所
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北田 秀樹
富士通研究所
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田中 親子
富士通研究所
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中村 友二
富士通研究所
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山脇 秀樹
富士通研究所
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記村 隆章
富士通研究所
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井原 賢
富士通研究所
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田中 厚志
(株)富士通研究所
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富岡 健
株式会社富士通研究所
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佐々 誠彦
富士通研究所
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井原 賢
富士通研厚木
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記村 隆章
富士通研厚木
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田中 厚志
富士通研
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清水 豊
富士通(株)
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藤井 俊夫
(株)富士通研究所
著作論文
- TEMによるPdPtMnスピンバルブ膜の局所構造解析
- ULSI開発に不可欠なナノレベル分析・評価技術
- 次世代デバイス開発に不可欠なナノ分析・評価技術
- 化合物半導体デバイス評価における電子顕微鏡法の寄与
- C ドープ InGaP/GaAs HBTの信頼性
- Si(001)基板上に成長したAl結晶の構造評価
- 14p-DJ-7 Si(001)上のAl薄膜のSTM観察
- Si上のGaAs成長における転位の発生機構と抑制技術
- 25p-Q-8 III-V族化合物半導体ヘテロ構造中の界面および欠陥のTEMによる評価
- Bi-Sr-Ca-Cu-O系CVD膜の電気的特性
- ULSI開発に不可欠なナノレベル分析・評価技術