C ドープ InGaP/GaAs HBTの信頼性
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概要
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マルチメディア時代を迎え、超高速光通信の要求が高まっている。超高速光通信用のデバイスとしてヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)は非常に有望な素子であり、これまで精力的に研究がなされてきた。しかしながら、超高速光通信が使用される基幹系通信網では非常に高い信頼性が要求されており、この要求に応えるためには要素部品の高い信頼性が必要不可欠となってくる。我々は、GaAs系、特にInGaP/GaAs HBT の長期信頼性および立ち上がり電圧の安定性について調べたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
上田 修
(株)富士通研究所
-
上田 修
株)富士通研究所
-
上田 修
富士通研究所・材料技術研究所
-
川野 明弘
富士通研究所
-
高橋 剛
富士通研究所
-
今西 健治
富士通研究所
-
富岡 健
富士通研究所
-
藤井 俊夫
富士通研究所
-
佐々 誠彦
大阪工業大学
-
富岡 健
株式会社富士通研究所
-
佐々 誠彦
富士通研究所
-
藤井 俊夫
(株)富士通研究所
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