絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス

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概要

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• 2007-01-10

著者

• 今西 健治

  富士通研究所

• 金村 雅仁

  (株)富士通研究所

• 牧山 剛三

  (株)富士通研究所

• 多木 俊裕

  富士通

• 岡本 直哉

  富士通

• 吉川 俊英

  富士通

• 常信 和清

  富士通株式会社

• 金村 雅仁

  富士通(株)

• 多木 俊裕

  富士通(株)

• 今西 健治

  富士通(株)

• 牧山 剛三

  富士通(株)

• 岡本 直哉

  富士通(株)

• 吉川 俊英

  富士通(株)

• 常信 和清

  富士通(株)

• 多木 俊裕

  富士通株式会社 電子デバイス事業本部

• 原 直紀

  富士通(株)

• 今西 健治

  富士通

• 常信 和清

  富士通株式会社:株式会社富士通研究所

• 今西 健治

  富士通研

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