超高速MMIC作製のためのInP HEMTデバイス技術(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
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概要
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ミリ波帯で動作可能な超高速MMIC作製のために,トランジスタ高速化とデバイス集積化を両立するInP系HEMTデバイス技術を検討した.高速性能を損なうことなくトランジスタを集積化するために,ゲート電極の機械強度維持と配線層間膜に起因する寄生容量の低減に着目した.ゲート長を極限まで短くすることなく高速化するために,縦方向・横方向スケーリングによる相互コンダクタンスの増加を検討した.更に,ゲート電極近傍の配線層間膜を除去する空洞構造を採用することで,配線層間膜に起因する寄生容量の低減を図った.以上の検討により,ゲート長45nmのデバイスで配線後の遮断周波数517GHzを実現した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-06-06
著者
-
高橋 剛
富士通株式会社
-
牧山 剛三
(株)富士通研究所
-
多木 俊裕
富士通
-
牧山 剛三
富士通
-
牧山 剛三
富士通株式会社
-
原 直紀
富士通株式会社
-
多木 俊裕
富士通株式会社 電子デバイス事業本部
-
多木 俊裕
株式会社富士通研究所
-
原 直紀
富士通研究所
-
牧山 剛三
株式会社 富士通研究所
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