InP系HEMTの低雑音化とミリ波応用
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2011-03-01
著者
-
中舍 安宏
株式会社富士通研究所
-
高橋 剛
富士通株式会社
-
牧山 剛三
(株)富士通研究所
-
原 直紀
(株)富士通研究所
-
牧山 剛三
富士通
-
牧山 剛三
富士通株式会社
-
原 直紀
株式会社富士通研究所
-
原 直紀
富士通株式会社
-
原 直紀
富士通研究所
-
中舎 安宏
(株)富士通研究所
-
中舎 安宏
富士通研究所
-
中舍 安宏
富士通株式会社
-
中舎 安宏
富士通株式会社
-
牧山 剛三
株式会社 富士通研究所
関連論文
- 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
- 2009年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム出席報告
- 94GHz帯パッシブイメージセンサ用InP-HEMT MMICの開発(マイクロ波/一般)
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- C-2-15 インバーテドマイクロストリップ路線を用いた利得帯域積 500 GHz 分布型増幅器
- 化合物半導体デバイスの将来展望 (特集 エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術--2020年を見据えて)
- W帯GaN MMIC送受信増幅器
- ノーマリーオフ型高電流密度GaN-HEMT
- GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- CS-9-3 GaN高周波応用技術の現状と展望(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- CT-1-4 化合物半導体デバイス : InP系,GaN系(CT-1.CMOSを越える革新デバイスの現状と展望,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス
- 広帯域整合技術を用いた90GHz InP HEMT抵抗整合型増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
- W帯10Gb/sインパルス無線通信用ウェーブレット送信機の開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 94GHz帯パッシブイメージセンサ用InP-HEMT MMICの開発(マイクロ波/一般)
- 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- CI-1-9 GaN HEMTのミリ波応用技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- B-5-126 超高速ギガビット無線LANの研究開発(33) : ミリ波OFDMシステムの装置試作と伝送実験(B-5.無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般セッション)
- B-5-91 超高速ギガビット無線LANの研究開発(27) : ミリ波OFDMシステムにおけるベースバンド部の試作(B-5.無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般セッション)
- ホール障壁除去によるInP HEMTのg_d周波数分散の抑制
- ホール障壁除去によるInP HEMTのg_d周波数分散の抑制
- C-10-19 寄生容量低減によるミリ波用InAlAs/InGaAs HEMTの低雑音化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-16 90nm Si-CMOSによる20GHz、100mW高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- ミリ波帯大容量伝送システム実現に向けた7.6ps InP HEMT短パルス発生器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-10-5 InP HEMT短パルス発生器のジッタ特性(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-4 InAlAs障壁層を薄層化したInAlAs/InGaAs HEMTの雑音特性(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 広帯域整合技術を用いた90GHz InP HEMT抵抗整合型増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- CI-1-5 70-100GHz帯10Gb/s無線通信用InP HEMT送受信モジュールの開発(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- C-10-5 0.1-μm InP HEMTによる85-GHz 15.5-dBm分布型増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C-10-14 空間構造InP HEMTのワイドゲート化による雑音特性改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 超高速MMIC作製のためのInP HEMTデバイス技術(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- 障壁層薄層化によるInP系HEMTの特性改善
- 横方向スケーリングによるInP系HEMTの高周波特性向上
- InAlAs障壁層薄層化によるInP系HEMTのソース抵抗低減および相互コンダクタンス向上
- 衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
- 寄生容量低減によるHEMTIC動作速度の向上,AWAD2006)
- 寄生容量低減によるHEMTIC動作速度の向上
- 招待講演 InP-HEMT MMICを用いたミリ波インパルス無線の検討 (電子デバイス)
- 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス
- 超高速IC用InP HEMTデバイス・プロセス技術
- 衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT
- 衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
- InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
- InP-HEMTを用いた超低消費電力(0.5W以下)50Gb/sフルレート4:1MUX、1:4DEMUXIC
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2 : 1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
- InP HEMTを用いた超高速デジタルIC
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- CT-2-2 ミリ波用InP HEMTの熱雑音抑制(CT-2.電子デバイスおよび集積システムにおける雑音の解析・抑制・応用に関する最先端技術-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- C-2-31 68-110GHz超広帯域増幅器の開発(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発
- 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発
- 寄生容量低減によるHEMT IC動作速度の向上
- 寄生容量低減によるHEMT IC動作速度の向上
- CT-1-5 InP HEMT技術による100Gbit/s動作ICの実現と将来展望(CT-1. 化合物半導体電子デバイスの現状とその可能性-次世代エレクトロニクスの代替と補完-, エレクトロニクス2)
- InP-HEMTを用いた超低消費電力(0.5W以下)50Gb/sフルレート4:1MUX、1:4DEMUX IC(アナログ・ディジアナ・センサ,通信用LSI)
- InP系HEMTによる超高速低消費電力IC技術(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- InP系HEMTの低雑音化とミリ波応用
- InP HEMT を用いた超高速デジタルIC
- InP-HEMT MMICを用いたミリ波インパルス無線の検討(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
- C-10-13 非対称リセスInP HEMTによるミリ波LNAの雑音改善手法(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- ミリ波センサ用低雑音増幅器および検波器 (電子デバイス)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討 (電子デバイス)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討 (電子部品・材料)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ミリ波センサ用低雑音増幅器および検波器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 大容量ミリ波帯インパルス無線技術 (特集 ネットワーク) -- (サービスの進化を支えるネットワーク転送インフラ技術)
- ミリ波センサ用低雑音増幅器および検波器
- 超高速MMIC作製のためのInP HEMTデバイス技術
- ED2012-95 75-nm InP HEMTを用いたF帯双方向増幅器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-2-38 93-133GHz帯InP HEMT増幅器の開発(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-10-11 75 nm InP HEMTを用いたF帯双方向増幅器(C-10.電子デバイス)