大容量ミリ波帯インパルス無線技術 (特集 ネットワーク) -- (サービスの進化を支えるネットワーク転送インフラ技術)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
2009年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム出席報告
-
SC-7-3 超高速光通信用HEMT-ICの開発
-
0.8V低電力HEMTプリスケーラ
-
0.7-mW/2-GHzデュアルジュラスプリスケーラIC
-
W帯10Gb/sインパルス無線通信用ウェーブレット送信機の開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
-
75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
-
75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
-
プリスケーラ用低電力フリップフロップの検討
-
SC-5-2 InGaPチャネルFETにおける高耐圧化の機構
-
31a-P11-26 高耐圧InGaPチャネルFET
-
B-5-126 超高速ギガビット無線LANの研究開発(33) : ミリ波OFDMシステムの装置試作と伝送実験(B-5.無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般セッション)
-
B-5-91 超高速ギガビット無線LANの研究開発(27) : ミリ波OFDMシステムにおけるベースバンド部の試作(B-5.無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般セッション)
-
B-5-105 超高速ギガビット無線LANの研究開発(12) : OFDM方式の装置概要(B-5.無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般講演)
-
B-5-198 超高速ギガビット無線LANの研究開発(3) : OFDM方式のシステム構成(B-5.無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般講演)
-
C-2-16 90nm Si-CMOSによる20GHz、100mW高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
B-5-144 超高速ギガビット無線LANの研究開発(19) : ミリ波OFDMシステムにおけるキャリア周波数同期の検討(B-5. 無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般セッション)
-
ミリ波帯大容量伝送システム実現に向けた7.6ps InP HEMT短パルス発生器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
-
C-2-19 25GHz動作40mW出力90nm Si-CMOS増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
-
C-10-5 InP HEMT短パルス発生器のジッタ特性(C-10.電子デバイス,一般講演)
-
CI-1-5 70-100GHz帯10Gb/s無線通信用InP HEMT送受信モジュールの開発(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
-
C-10-5 0.1-μm InP HEMTによる85-GHz 15.5-dBm分布型増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
-
InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
-
InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
-
ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
C-10-14 空間構造InP HEMTのワイドゲート化による雑音特性改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
-
W-CDMA 0.2 cc HBT高効率パワーアンプモジュール
-
W-CDMA 0.2cc HBT高効率パワーアンプモジュール
-
W-CDMA 0.2cc HBT高効率パワーアンプモジュール
-
C-10-5 InP HEMT技術を用いたCMU付きフルレート4:1マルチプレクサ(C-10.電子デバイス)
-
招待講演 InP-HEMT MMICを用いたミリ波インパルス無線の検討 (電子デバイス)
-
共鳴トンネルダイオードとHEMTのモノリシック集積化
-
C-10-16 InP-HEMTを用いた400Gbit/s動作 D-FF&MUX回路
-
InP-HEMTを用いた超低消費電力(0.5W以下)50Gb/sフルレート4:1MUX、1:4DEMUXIC
-
InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
-
InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2 : 1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
-
InP HEMTを用いた超高速デジタルIC
-
InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
-
CT-2-2 ミリ波用InP HEMTの熱雑音抑制(CT-2.電子デバイスおよび集積システムにおける雑音の解析・抑制・応用に関する最先端技術-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
-
CT-1-5 InP HEMT技術による100Gbit/s動作ICの実現と将来展望(CT-1. 化合物半導体電子デバイスの現状とその可能性-次世代エレクトロニクスの代替と補完-, エレクトロニクス2)
-
InP-HEMTを用いた超低消費電力(0.5W以下)50Gb/sフルレート4:1MUX、1:4DEMUX IC(アナログ・ディジアナ・センサ,通信用LSI)
-
InP系HEMTによる超高速低消費電力IC技術(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
-
C-10-15 43Gbit/s動作InP-HEMT/D-FF回路の低電圧化
-
InP系HEMTの低雑音化とミリ波応用
-
C-10-3 InP-HEMTを用いた63Gbit/s動作1:2デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス)
-
InP HEMT を用いた超高速デジタルIC
-
InP系HEMT技術を用いた43Gb/sフルレート4:1マルチプレクサ
-
InP-HEMT MMICを用いたミリ波インパルス無線の検討(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
-
InP系HEMTによる超高速低消費電力IC技術(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
-
InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
-
C-10-13 非対称リセスInP HEMTによるミリ波LNAの雑音改善手法(C-10.電子デバイス,一般セッション)
-
ミリ波センサ用低雑音増幅器および検波器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
-
大容量ミリ波帯インパルス無線技術 (特集 ネットワーク) -- (サービスの進化を支えるネットワーク転送インフラ技術)
-
ミリ波センサ用低雑音増幅器および検波器
-
C-2-38 93-133GHz帯InP HEMT増幅器の開発(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
C-10-11 75 nm InP HEMTを用いたF帯双方向増幅器(C-10.電子デバイス)
-
CI-2-5 超高速ダイオード技術の現状と展望(CI-2.ミリ波・テラヘルツ波応用に向けた電子デバイス・回路研究開発の現状と展望,依頼シンポジウム)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク