InP系HEMTによる超高速低消費電力IC技術(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
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概要
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InP系HEMTは、高速性と低消費電力性を兼ね備えた、次世代超高速通信を支えるキーデバイスである。これを実証するため我々は、40Gb/s光通信システム向けに4:1多重化回路(MUX)と1:4分離回路(DEMUX)を開発した。InP系HEMT技術と多相クロック、電圧配分最適化などの回路技術により、各々0.5W以下の世界最小消費電力で、MUX出力ジッタ283fs rms、DEMUX位相余裕250°の良好な性能を得た。一方、将来の100Gb/sを超える通信システムの実現可能性を探る目的で、高速2:1MUXと1:2DEMUXを試作し、それぞれ144Gb/s、80Gb/sの世界最高速を得た。更に、2:1MUXモジュールと1:2DEMUXチップでback-to-back試験を行い、80Gb/sでのエラーフリー動作(1×10^<-11>)を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-23
著者
-
廣瀬 達哉
株式会社富士通研究所
-
高橋 剛
富士通株式会社
-
廣瀬 達哉
富士通研究所
-
高橋 剛
富士通研究所
-
中舎 安宏
(株)富士通研究所
-
滝川 正彦
(株)富士通研究所
-
中舎 安宏
富士通研究所
-
滝川 正彦
富士通研究所
-
川野 陽一
富士通株式会社
-
鈴木 俊秀
富士通株式会社
-
中舎 安宏
富士通株式会社
-
牧山 剛三
富士通研究所
-
鈴木 俊秀
富士通研究所
-
川野 陽一
富士通研究所
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