牧山 剛三 | 富士通研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
牧山 剛三
富士通研究所
-
原 直紀
富士通研究所
-
今西 健治
富士通研究所
-
牧山 剛三
(株)富士通研究所
-
多木 俊裕
富士通
-
牧山 剛三
富士通
-
多木 俊裕
富士通株式会社 電子デバイス事業本部
-
牧山 剛三
株式会社 富士通研究所
-
吉川 俊英
富士通研究所
-
今西 健治
富士通
-
今西 健治
富士通研
-
吉川 俊英
富士通
-
多木 俊裕
富士通研究所
-
渡部 慶二
富士通研究所
-
西森 理人
富士通研究所
-
山田 敦史
富士通研究所
-
廣瀬 達哉
株式会社富士通研究所
-
廣瀬 達哉
富士通研究所
-
高橋 剛
富士通研究所
-
岡本 直哉
富士通
-
原 直紀
富士通
-
吉川 俊英
富士通株式会社ネットワークプロダクト事業本部
-
高橋 剛
富士通株式会社
-
金村 雅仁
(株)富士通研究所
-
原 直紀
(株)富士通研究所
-
金村 雅仁
富士通株式会社
-
常信 和清
富士通株式会社
-
原 直紀
株式会社富士通研究所
-
金村 雅仁
富士通(株)
-
滝川 正彦
(株)富士通研究所
-
中舎 安宏
富士通研究所
-
滝川 正彦
富士通研究所
-
鈴木 俊秀
富士通株式会社
-
山田 敦史
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
中舎 安宏
富士通株式会社
-
鈴木 俊秀
富士通研究所
-
常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
常信 和清
富士通
-
澤谷 邦男
東北大学大学院工学研究科
-
水野 皓司
東北大学電気通信研究所
-
佐藤 弘康
東北大学大学院工学研究科
-
佐藤 優
株式会社富士通研究所
-
廣瀬 達哉
(株)富士通研究所
-
水野 皓司
東北大学
-
佐藤 弘康
東北大学 大学院工学研究科電気・通信工学専攻
-
澤谷 邦男
東北大学 大学院工学研究科電気・通信工学専攻
-
廣瀬 達哉
富士通株式会社
-
佐藤 優
富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
-
中舎 安宏
(株)富士通研究所
-
川野 陽一
富士通株式会社
-
澤谷 邦男
東北大学大学院工学研究科電気・通信専攻
-
澤田 憲
(株)富士通研究所
-
川野 陽一
富士通研究所
-
高橋 剛
富士通(株)
-
佐藤 優
富士通株式会社
-
水野 浩司
東北大通研
-
澤田 憲
富士通研究所
-
佐藤 優
富士通研究所
-
佐藤 優
株式会社 秋田鶏病中央研究所
-
澤谷 邦男
東北大学
-
佐藤 優
富士通(株)
-
重松 寿生
(株)富士通研究所
-
佐藤 優
(株)富士通研究所
-
増田 哲
富士通研究所
-
五十嵐 美和
富士通研究所
-
増田 哲
(株)富士通研究所
-
大橋 洋二
株式会社富士通研究所
-
富岡 健
株式会社富士通研究所
-
青木 重憲
富士通株式会社:財団法人光産業技術振興協会
-
大橋 洋二
富士通研究所
-
重松 寿生
富士通研究所
-
青木 重憲
富士通研究所
-
大橋 洋二
富士通株式会社
-
二瓶 瑞久
富士通研究所(株)
-
牧山 剛三
株式会社富士通研究所
-
白川 和雄
富士通研究所
-
白川 和雄
株式会社富士通研究所
-
佐藤 優
東海大 工
-
河崎 義博
富士通研究所
-
河崎 義博
(株)富士通研究所
-
野崎 耕司
富士通研究所
-
澤田 憲
Fujitsu Laboratories Ltd.
-
二瓶 瑞久
株式会社富士通研究所
-
渡邉 祐
株式会社富士通研究所
-
加納 英樹
株式会社富士通研究所
-
増田 哲
富士通
-
今 純一
富士通研究所
-
岡本 直哉
富士通研究所
-
加納 英樹
富士通研究所
著作論文
- 94GHz帯パッシブイメージセンサ用InP-HEMT MMICの開発(マイクロ波/一般)
- W帯GaN MMIC送受信増幅器
- 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 94GHz帯パッシブイメージセンサ用InP-HEMT MMICの開発(マイクロ波/一般)
- ミリ波帯フリップチップ実装型MMIC
- 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- W帯MMIC用0.15μm InGaP/InGaAs HEMTの試作
- i線露光による0.1μmゲート長InP HEMTの作製(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 超高速IC用InP HEMTデバイス・プロセス技術
- InP系HEMTによる超高速低消費電力IC技術(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- InP系HEMT技術を用いた43Gb/sフルレート4:1マルチプレクサ
- InP系HEMTによる超高速低消費電力IC技術(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討