渡部 慶二 | 富士通研究所
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概要
関連著者
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今西 健治
富士通研究所
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吉川 俊英
富士通研究所
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多木 俊裕
富士通研究所
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渡部 慶二
富士通研究所
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原 直紀
富士通研究所
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牧山 剛三
富士通研究所
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西森 理人
富士通研究所
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著作論文
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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- 低オン電圧動作GaN SBDへのCu_2Oエッジ終端構造の適用
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討
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