今田 忠紘 | 株式会社富士通研究所
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概要
関連著者
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今田 忠紘
株式会社富士通研究所
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金村 雅仁
(株)富士通研究所
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岡本 直哉
富士通
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吉川 俊英
富士通
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多木 俊裕
富士通株式会社 電子デバイス事業本部
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吉川 俊英
株式会社富士通研究所
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多木 俊裕
株式会社富士通研究所
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尾崎 史朗
株式会社富士通研究所
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中村 哲一
株式会社富士通研究所
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岡本 直哉
株式会社富士通研究所
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宮島 豊生
株式会社富士通研究所
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金村 雅仁
株式会社富士通研究所
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今西 健治
富士通研究所
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多木 俊裕
富士通
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常信 和清
富士通株式会社
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吉川 俊英
富士通研究所
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今西 健治
富士通
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常信 和清
富士通研究所
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多木 俊裕
富士通研究所
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岡本 直哉
富士通研究所
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金村 雅仁
富士通研究所
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今西 健治
富士通研
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渡部 慶二
富士通研究所
-
今田 忠紘
富士通研究所
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美濃浦 優一
富士通研究所
-
PIEDRA Daniel
マサチューセッツ工科大学
-
PALACIOS Tomas
マサチューセッツ工科大学
著作論文
- 低オン電圧動作GaN SBDへのCu_2Oエッジ終端構造の適用
- 原子層堆積Al_2O_3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 原子層堆積Al_2O_3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 原子層堆積Al_2O_3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- GaN-HEMTの400Vでの動的挙動とトラップ特性の相関 (電子デバイス)
- GaN-HEMTの400Vでの動的挙動とトラップ特性の相関 (マイクロ波)
- GaN-HEMTの400Vでの動的挙動とトラップ特性の相関(一般講演,パワーデバイス及び超高周波デバイス/マイクロ波一般)