常信 和清 | 富士通株式会社
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概要
関連著者
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常信 和清
富士通株式会社
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常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
吉川 俊英
富士通
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金村 雅仁
(株)富士通研究所
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今西 健治
富士通研究所
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今西 健治
富士通
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今西 健治
富士通研
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常信 和清
(株)富士通研究所
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多木 俊裕
富士通
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多木 俊裕
富士通株式会社 電子デバイス事業本部
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原 直紀
富士通研究所
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牧山 剛三
(株)富士通研究所
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吉川 俊英
(株)富士通研究所
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牧山 剛三
富士通
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牧山 剛三
株式会社 富士通研究所
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岡本 直哉
富士通
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今西 健治
(株)富士通研究所
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原 直紀
(株)富士通研究所
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吉川 俊英
富士通研究所
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吉川 俊英
富士通株式会社ネットワークプロダクト事業本部
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増田 哲
富士通研究所
-
増田 哲
(株)富士通研究所
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金村 雅仁
富士通株式会社
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増田 哲
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
原 直紀
株式会社富士通研究所
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重松 寿生
(株)富士通研究所
-
重松 寿生
富士通研究所
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金村 雅仁
富士通(株)
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川野 陽一
名古屋大学工学研究科
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井上 雄介
(株)富士通研究所
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多木 俊裕
(株)富士通研究所
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川野 陽一
富士通株式会社
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鈴木 俊秀
富士通株式会社
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川野 陽一
株式会社富士通研究所
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鈴木 俊秀
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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廣瀬 達哉
株式会社富士通研究所
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廣瀬 達哉
富士通研究所
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岡本 直哉
(株)富士通研究所
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廣瀬 達哉
富士通株式会社
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牧山 剛三
富士通株式会社
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多木 俊裕
富士通株式会社
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今西 健治
富士通株式会社
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佐藤 優
富士通株式会社
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鈴木 俊秀
株式会社富士通研究所
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佐藤 優
株式会社 秋田鶏病中央研究所
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佐藤 優
株式会社富士通研究所
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佐藤 優
(株)富士通研究所
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廣瀬 達哉
(株)富士通研究所
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中舎 安宏
(株)富士通研究所
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中舎 安宏
富士通株式会社
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常信 和清
富士通研究所
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常信 和清
富士通
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佐藤 優
富士通研究所
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中舍 安宏
株式会社富士通研究所
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原 直紀
富士通
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多木 俊裕
富士通(株)
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今西 健治
富士通(株)
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牧山 剛三
富士通(株)
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常信 和清
富士通(株)
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中舎 安宏
富士通研究所
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佐藤 優
東海大 工
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原 直紀
富士通(株)
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常信 和清
富士通株式会社電子デバイス事業本部
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山田 全男
(株)富士通研究所
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岩井 大介
(株)富士通研究所
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岡本 直哉
富士通(株)
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吉川 俊英
富士通(株)
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牧山 剛三
富士通研究所
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久保 徳郎
(株)富士通研究所
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岡本 直哉
富士通株式会社
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増田 哲
富士通株式会社
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尾崎 史朗
株式会社富士通研究所
-
中村 哲一
株式会社富士通研究所
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尾崎 史朗
富士通研究所
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岩井 大介
富士通研
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川野 陽一
日本医科大学外科
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川野 陽一
日本医科大学多摩永山病院 外科
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佐藤 優
富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
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山田 敦史
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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峰山 亜希子
東京工業大学統合研究院
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鈴木 俊秀
富士通研究所
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川野 陽一
富士通研究所
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常信 和清
株式会社富士通研究所
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川野 陽一
日本医科大学付属病院外科
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川野 陽一
富士通セミコンダクター株式会社
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平塚 敏朗
A.t.r
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西川 健二郎
日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所
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宮崎 守泰
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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大橋 英征
三菱電機株式会社
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李 可人
独立行政法人情報通信研究機構
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馬 哲旺
埼玉大学工学部
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志垣 雅文
富士通(株)
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李 可人
(独)情報通信研究機構
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西川 健二郎
NTT未来ねっと研究所
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赤瀬川 章彦
(株)富士通研究所
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吉増 敏彦
早稲田大学
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西川 健二郎
日本電信電話株式会社
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西川 健二郎
Ntt未来ねっと研究所日本電信電話株式会社
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松村 和仁
宇都宮大学工学部
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Nishikawa Kenjiro
Nippon Telegraph and Telephone corporation
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李 可人
Nict
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李 可人
情報通信研究機構
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黒木 太司
呉高専
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馬 哲旺
埼玉大学
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都竹 愛一郎
通信総合研究所
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田中 均
富士通研究所
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戸澤 義春
(株)富士通研究所
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宮崎 守泰
三菱電機 (株) 情報技術総合研究所
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山田 敦史
富士通株式会社
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鈴木 俊秀
(株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
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宮崎 守泰
三菱電機株式会社
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荒木 純道
東工大
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志垣 雅文
富士通
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小林 一彦
富士通研究所株式会社
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高野 健
(株)富士通研究所
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馬庭 透
(株)富士通研究所ネットワークシステム研究所
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西川 健二郎
NTT無線システム研究所
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吉川 俊秀
富士通(株)
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山田 敦史
富士通(株)
-
増田 哲
富士通(株)
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重松 寿生
富士通(株)
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馬庭 透
富士通研究所
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大橋 英征
三菱電機
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川野 陽一
(株)富士通研究所
-
鈴木 俊秀
(株)富士通研究所
-
小林 一彦
(株)富士通研究所
-
小原 史郎
(株)富士通研究所
-
赤瀬川 章彦
富士通株式会社
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多木 俊裕
富士通研究所
-
岡本 直哉
富士通研究所
-
金村 雅仁
富士通研究所
-
西川 健二郎
Ntt
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松村 和仁
宇都宮大学
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峰山 亜希子
富士通株式会社
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峰山 亜希子
株式会社富士通研究所
-
渡部 慶二
富士通研究所
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今田 忠紘
富士通研究所
-
美濃浦 優一
富士通研究所
-
今田 忠紘
株式会社富士通研究所
著作論文
- 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 高耐圧 E-mode AlGaN/GaN HEMT 実現のための新規リセス構造
- CS-9-3 GaN高周波応用技術の現状と展望(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- 2006年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム(IMS2006)出席報告(学生研究会,マイクロ波シミュレータ,一般)
- CI-1-9 GaN HEMTのミリ波応用技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- InGaP/GaAsヘテロ接合を用いた電子デバイス
- ミリ波帯CMOSパワーアンプ(マイクロ波/一般)
- ミリ波帯CMOSパワーアンプ(マイクロ波/一般)
- C-2-16 90nm Si-CMOSによる20GHz、100mW高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- CS-3-5 90nmCMOS技術を用いたミリ波パワーアンプ(C-3. ミリ波無線システムと回路・デバイスの開発動向,シンポジウムセッション)
- C-2-19 25GHz動作40mW出力90nm Si-CMOS増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- HBTを用いたW-CDMA移動機用電力増幅器の高効率化に関する一検討
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 第23回ヨーロッパマイクロ波会議出席報告
- 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス
- 基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 導電性n型SiC基板上に作製したAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- CS-9-2 携帯電話基地局用GaN-HEMT(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
- 高信頼度GaN-HEMT増幅器(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 高信頼度GaN-HEMT増幅器(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 導電性N-SiC基板上高出力AlGaN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 導電性N-SiC基板上高出力AlGaN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaN-HEMTを使用したW-CDMA基地局用高出力増幅器 (特集:研究開発最前線) -- (ユビキタス社会のネットワークを支える技術)
- 高効率電力増幅用GaNデバイス (特集 LTE)
- C-2-23 65nm CMOSを用いたシングルチップK帯パワーアンプ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
- 低オン電圧動作GaN SBDへのCu_2Oエッジ終端構造の適用
- C-2-34 トランスフォーマーによる中和技術を用いたミリ波帯単相アンプ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)