井上 雄介 | (株)富士通研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
井上 雄介
(株)富士通研究所
-
重松 寿生
(株)富士通研究所
-
重松 寿生
富士通研究所
-
廣瀬 達哉
株式会社富士通研究所
-
今西 健治
富士通研究所
-
金村 雅仁
(株)富士通研究所
-
多木 俊裕
(株)富士通研究所
-
牧山 剛三
(株)富士通研究所
-
今西 健治
(株)富士通研究所
-
吉川 俊英
(株)富士通研究所
著作論文
- 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- CS-9-3 GaN高周波応用技術の現状と展望(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- 広帯域整合技術を用いた90GHz InP HEMT抵抗整合型増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- C-2-26 分布増幅器の高利得化法
- 1.4THz利得帯域積超広帯域プリアンプIC
- C-2-51 80GHz帯域DCブロック(C-2.マイクロ波B(受動デバイス))
- C-2-5 InP-HEMTを用いた1.8V_差動型広帯域増幅器の検討(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)