岩井 大介 | 富士通研
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概要
関連著者
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岩井 大介
富士通研
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常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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小原 史朗
富士通カンタムデバイス株式会社
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今西 健治
(株)富士通研究所
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常信 和清
(株)富士通研究所
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岩井 大介
(株)富士通研究所
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今西 健治
富士通
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宮下 工
(株)富士通研究所
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岩井 大介
富士通研究所ナノテクノロジー研究センター
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吉川 俊英
富士通
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常信 和清
富士通研究所
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宮下 工
富士通研究所(株)
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今西 健治
富士通研究所
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金村 雅仁
(株)富士通研究所
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吉川 俊英
(株)富士通研究所
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伊藤 秀和
富士通カンタムデバイス
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山口 泰弘
富士通カンタムデバイス
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常信 和清
富士通株式会社
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中舎 安宏
富士通研究所
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小原 史朗
(株)富士通研究所
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山田 浩
(株)富士通研究所
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山口 泰弘
(株)富士通研究所
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宮澤 直行
富士通カンタムデバイス
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小原 史朗
富士通研究所
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今西 健治
富士通研
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多木 俊裕
富士通
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多木 俊裕
富士通株式会社 電子デバイス事業本部
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久保 徳郎
(株)富士通研究所
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重松 寿生
(株)富士通研究所
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井上 雄介
(株)富士通研究所
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多木 俊裕
(株)富士通研究所
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牧山 剛三
(株)富士通研究所
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原 直紀
(株)富士通研究所
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牧山 剛三
富士通
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重松 寿生
富士通研究所
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吉川 俊英
富士通研究所
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原 直紀
富士通研究所
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小林 一彦
富士通研究所株式会社
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牧山 剛三
株式会社 富士通研究所
著作論文
- モバイルWiMAX基地局向け高効率GaN-HEMT増幅器 (特集 モバイルWiMAX)
- CS-9-3 GaN高周波応用技術の現状と展望(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- 高出力InGaP/GaAs HBTの位相歪みとACP特性
- InGaP/GaAs HBTの線形性に対するソースインピーダンスの影響
- 低電圧動作LバンドInGaP/GaAs パワーHBT
- 高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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- SC-7-5 W-CDMA携帯端末用HBTパワーアンプMMIC
- W-CDMA 0.2 cc HBT高効率パワーアンプモジュール
- W-CDMA 0.2cc HBT高効率パワーアンプモジュール
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- InGaAs系へテロ接合バイポーラトランジスタのパワー素子への応用