高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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Si_3N_4絶縁ゲートを有するn-GaN/n-AlGaN/i-GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)を作製した。作製したMIS-HEMTは順方向リーク電流が従来のショットキーゲートデバイスと比べて8桁低減され、逆方向耐圧も400V以上あることが確認できた。また、GaN HEMT増幅器(1チップ)の特性としてドレイン電圧60V、周波数2.14GHzで出力110Wが得られた。
- 2006-01-12
著者
-
今西 健治
富士通研究所
-
金村 雅仁
(株)富士通研究所
-
今西 健治
(株)富士通研究所
-
吉川 俊英
(株)富士通研究所
-
常信 和清
(株)富士通研究所
-
吉川 俊英
富士通
-
常信 和清
富士通株式会社
-
岩井 大介
(株)富士通研究所
-
今西 健治
富士通
-
久保 徳郎
(株)富士通研究所
-
常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
今西 健治
富士通研
-
岩井 大介
富士通研
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