Surface-Charge-Controlled構造を用いたAlGaN/GaN Power HEMT(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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AlGaN/GaN HEMTは高耐圧・高出力デバイスとして期待されている.しかしながら電流コラプスと呼ばれるI-V特性の異常が報告されておりその改善が望まれている.今回surface-charge-controlled構造と呼ばれる表面に薄いn型ドープGaN表面層を配置した構造を開発した.その構造により、電流コラプスを急激に低減することができた.その結果SiC基板を用いた場合に30V動作で36W(Wg=24mm)得ることに成功した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-07
著者
-
岡本 直哉
(株)富士通研究所
-
吉川 俊英
(株)富士通研究所
-
常信 和清
(株)富士通研究所
-
原 直紀
(株)富士通研究所
-
横川 茂
富士通カンタムデバイス(株)
-
岡本 直哉
富士通
-
山口 泰弘
富士通カンタムデバイス
-
吉川 俊英
富士通
-
加藤 真一
富士通カンタムデバイス
-
長原 正樹
富士通カンタムデバイス
-
横山 満徳
富士通カンタムデバイス
-
木村 徳治
富士通研究所
-
木村 徳治
(株)富士通研究所
-
館野 泰範
富士通カンタムデバイス(株)
-
常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
館野 泰範
ユーディナデバイス株式会社
-
加藤 眞一
(株)富士通研究所
-
横川 茂
富士通カンタムデバイス
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