常信 和清 | (株)富士通研究所
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概要
関連著者
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常信 和清
(株)富士通研究所
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常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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常信 和清
富士通株式会社
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吉川 俊英
(株)富士通研究所
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吉川 俊英
富士通
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金村 雅仁
(株)富士通研究所
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今西 健治
(株)富士通研究所
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今西 健治
富士通
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原 直紀
(株)富士通研究所
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今西 健治
富士通研究所
-
今西 健治
富士通研
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増田 哲
(株)富士通研究所
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岡本 直哉
(株)富士通研究所
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岡本 直哉
富士通
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原 直紀
富士通研究所
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増田 哲
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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重松 寿生
(株)富士通研究所
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増田 哲
富士通研究所
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井上 雄介
(株)富士通研究所
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多木 俊裕
(株)富士通研究所
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牧山 剛三
(株)富士通研究所
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多木 俊裕
富士通
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牧山 剛三
富士通
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重松 寿生
富士通研究所
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多木 俊裕
富士通株式会社 電子デバイス事業本部
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館野 泰範
ユーディナデバイス株式会社
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牧山 剛三
株式会社 富士通研究所
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横川 茂
富士通カンタムデバイス(株)
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岩井 大介
(株)富士通研究所
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横川 茂
富士通カンタムデバイス
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岩井 大介
富士通研
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廣瀬 達哉
株式会社富士通研究所
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山口 泰弘
富士通カンタムデバイス
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横山 満徳
富士通カンタムデバイス
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館野 泰範
富士通カンタムデバイス(株)
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小原 史朗
(株)富士通研究所
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山田 浩
(株)富士通研究所
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小原 史朗
富士通カンタムデバイス株式会社
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廣瀬 達哉
(株)富士通研究所
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加藤 真一
富士通カンタムデバイス
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西 眞広
富士通カンタムデバイス(株)
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西 眞弘
富士通カンタムデバイス株式会社
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加藤 眞一
(株)富士通研究所
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常信 和清
富士通株式会社電子デバイス事業本部
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廣瀬 達哉
富士通研究所
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川野 陽一
名古屋大学工学研究科
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山田 全男
(株)富士通研究所
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廣瀬 達哉
富士通株式会社
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五十嵐 勉
富士通カンタムデバイス(株)
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吉川 俊英
富士通研究所
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川野 陽一
富士通株式会社
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鈴木 俊秀
富士通株式会社
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田中 正公
富士通カンタムデバイス(株)
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安達 信雄
富士通カンタムデバイス
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山口 泰弘
(株)富士通研究所
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安達 信雄
ユーディナデバイス株式会社
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川野 陽一
株式会社富士通研究所
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鈴木 俊秀
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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佐藤 優
株式会社富士通研究所
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藤井 俊夫
富士通研究所
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高橋 剛
(株)富士通研究所
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中舎 安宏
(株)富士通研究所
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中舎 安宏
富士通株式会社
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常信 和清
富士通研究所
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長原 正樹
富士通カンタムデバイス
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木村 徳治
富士通研究所
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木村 徳治
(株)富士通研究所
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大西 裕明
(株)富士通研究所
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佐藤 優
富士通株式会社
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久保 徳郎
(株)富士通研究所
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鈴木 俊秀
株式会社富士通研究所
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大西 裕明
富士通研究所
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藤井 俊夫
(株)富士通研究所
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舘野 泰範
(株)富士通
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佐藤 優
富士通研究所
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佐藤 優
株式会社 秋田鶏病中央研究所
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平塚 敏朗
A.t.r
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佐藤 優
(株)富士通研究所
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中舍 安宏
株式会社富士通研究所
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志垣 雅文
富士通(株)
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赤瀬川 章彦
(株)富士通研究所
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松村 和仁
宇都宮大学工学部
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都竹 愛一郎
通信総合研究所
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田中 均
富士通研究所
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西 眞弘
富士通カンタムデバイス(株)
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小野 克二
(株)富士通研究所
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小野 克二
株式会社 富士通研究所
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戸澤 義春
(株)富士通研究所
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原 直紀
株式会社富士通研究所
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宮下 工
(株)富士通研究所
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鈴木 俊秀
(株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
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中舎 安宏
富士通研究所
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志垣 雅文
富士通
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小林 一彦
富士通研究所株式会社
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高野 健
(株)富士通研究所
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馬庭 透
(株)富士通研究所ネットワークシステム研究所
-
馬庭 透
富士通研究所
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川野 陽一
(株)富士通研究所
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鈴木 俊秀
(株)富士通研究所
-
小林 一彦
(株)富士通研究所
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小原 史郎
(株)富士通研究所
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常信 和清
株式会社富士通研究所
-
赤瀬川 章彦
富士通株式会社
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深谷 順
(株)富士通
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松村 和仁
宇都宮大学
著作論文
- 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- C-2-15 インバーテドマイクロストリップ路線を用いた利得帯域積 500 GHz 分布型増幅器
- CS-9-3 GaN高周波応用技術の現状と展望(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- Surface-Charge-Controlled構造を用いたAlGaN/GaN Power HEMT(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Surface-Charge-Controlled構造を用いたAlGaN/GaN Power HEMT(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 高出力InGaP/GaAs HBTの位相歪みとACP特性
- InGaP/GaAs HBTの線形性に対するソースインピーダンスの影響
- 低電圧動作LバンドInGaP/GaAs パワーHBT
- InGaP/GaAsヘテロ接合を用いた電子デバイス
- C-2-16 90nm Si-CMOSによる20GHz、100mW高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- CS-3-5 90nmCMOS技術を用いたミリ波パワーアンプ(C-3. ミリ波無線システムと回路・デバイスの開発動向,シンポジウムセッション)
- C-2-19 25GHz動作40mW出力90nm Si-CMOS増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- HBTを用いたW-CDMA移動機用電力増幅器の高効率化に関する一検討
- 高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 第23回ヨーロッパマイクロ波会議出席報告
- 非線形HEMTモデルの検討
- 基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 導電性n型SiC基板上に作製したAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- SC-9-8 多層配線を用いた 110-GHz 超広帯域フリップチップ分布型増幅器
- CS-9-2 携帯電話基地局用GaN-HEMT(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
- 高信頼度GaN-HEMT増幅器(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 高信頼度GaN-HEMT増幅器(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 導電性N-SiC基板上高出力AlGaN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 導電性N-SiC基板上高出力AlGaN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaAS/GaAsHBTにおける低電圧動作のためのコレクタ構造の検討
- 低電圧動作,高効率 AlGaAs/GaAs HBT