高出力InGaP/GaAs HBTの位相歪みとACP特性
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概要
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移動体通信端末は飛躍的に普及してきており, その構成部品である高出力増幅器にも高いコストパフォーマンスが要求されている。特にPDCのようなデジタル通信方式では, 隣接チャネル漏洩電力(ACP)を規定値以下に抑え, 如何に高い電力付加効率(PAE)を保つかが重要な課題となってくる。HBTには原理的に単一電源動作をするという特徴がある。エミッタ接地のHBTでは, 入力側整合回路のコンダクタンスを一定にしたままサセプタンスを変化させると位相ひずみを調整することが可能である。これは, 主に入力側(エミッターベース接合)のコンダクタンスの非線形性が大きいことを反映しているためである。今回, ソースインピーダンスを変化させてHBTの位相ひずみとACPが改善されることを実験的に示し, 位相ひずみの改善がACPの低減に有効であることをシミュレーションを用いて評価したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
今西 健治
(株)富士通研究所
-
常信 和清
(株)富士通研究所
-
山口 泰弘
富士通カンタムデバイス
-
岩井 大介
(株)富士通研究所
-
宮下 工
(株)富士通研究所
-
今西 健治
富士通
-
小原 史朗
(株)富士通研究所
-
山田 浩
(株)富士通研究所
-
山口 泰弘
(株)富士通研究所
-
小原 史朗
富士通カンタムデバイス株式会社
-
常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
岩井 大介
富士通研
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