W-CDMA 0.2cc HBT高効率パワーアンプモジュール
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
次世代の移動体通信方式として注目されているW-CDMA携帯端末向けにHBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)を用いた0.2cc増幅器モジュールを試作した結果について述べる。W-CDMAシステムは高速なデータ伝送速度と狭いチャネル間隔のため、PDCやIS-95などの第2世代方式に比較してより低い隣接チャネル漏洩電力を要求している。試作したモジュールに高性能なInGaP / GaAs HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)を用い、2段増幅器のドライバー段とパワー段の歪み補償を行うことで、W-CDMA変調の出力電力28dBmにおいて隣接チャネル漏洩電力-40.8dBc、電力付加効率40.2%と良好な特性を得た。
- 2000-01-21
著者
-
伊藤 秀和
富士通カンタムデバイス
-
宮下 工
(株)富士通研究所
-
中舎 安宏
富士通研究所
-
岩井 大介
富士通研究所ナノテクノロジー研究センター
-
常信 和清
富士通研究所
-
小原 史朗
富士通カンタムデバイス株式会社
-
宮下 工
富士通研究所(株)
-
常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
宮澤 直行
富士通カンタムデバイス
-
小原 史朗
富士通研究所
-
岩井 大介
富士通研
関連論文
- 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
- 2009年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム出席報告
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- C-2-15 インバーテドマイクロストリップ路線を用いた利得帯域積 500 GHz 分布型増幅器
- GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- モバイルWiMAX基地局向け高効率GaN-HEMT増幅器 (特集 モバイルWiMAX)
- 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 高耐圧 E-mode AlGaN/GaN HEMT 実現のための新規リセス構造
- CS-9-3 GaN高周波応用技術の現状と展望(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス
- A-1-11 マイクロ波パワーアンプのメモリー非線形効果モデル(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- 0.7-mW/2-GHzデュアルジュラスプリスケーラIC
- W帯10Gb/sインパルス無線通信用ウェーブレット送信機の開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 19pRA-9 カーボンナノチューブ熱輸送 : デバイスの放熱応用(企画講演,ナノチューブ・光物性・熱伝導,領域7,分子性固体・有機導体)
- カーボンナノチューブの放熱バンプ技術 (特集 研究開発最前線)
- 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- SC-5-2 InGaPチャネルFETにおける高耐圧化の機構
- 31a-P11-26 高耐圧InGaPチャネルFET
- CI-1-9 GaN HEMTのミリ波応用技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- CT-1-5 カーボンナノチューブデバイス(CT-1.CMOSを越える革新デバイスの現状と展望,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- B-5-126 超高速ギガビット無線LANの研究開発(33) : ミリ波OFDMシステムの装置試作と伝送実験(B-5.無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般セッション)
- B-5-91 超高速ギガビット無線LANの研究開発(27) : ミリ波OFDMシステムにおけるベースバンド部の試作(B-5.無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般セッション)
- 高電圧動作によるAlGaN/GaN HEMTの相互変調歪プロファイル改善
- Surface-Charge-Controlled構造を用いたAlGaN/GaN Power HEMT(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Surface-Charge-Controlled構造を用いたAlGaN/GaN Power HEMT(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 高出力InGaP/GaAs HBTの位相歪みとACP特性
- InGaP/GaAs HBTの線形性に対するソースインピーダンスの影響
- 低電圧動作LバンドInGaP/GaAs パワーHBT
- InGaP/GaAsヘテロ接合を用いた電子デバイス
- ミリ波帯CMOSパワーアンプ(マイクロ波/一般)
- ミリ波帯CMOSパワーアンプ(マイクロ波/一般)
- C-2-16 90nm Si-CMOSによる20GHz、100mW高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- CS-3-5 90nmCMOS技術を用いたミリ波パワーアンプ(C-3. ミリ波無線システムと回路・デバイスの開発動向,シンポジウムセッション)
- C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高速オーバサンプリングHEMT ADコンバータ : Polarity Alternating Feedback Comparatorを用いた5GHz ΣΔアナログディジタルコンバータ
- 高速オーバサンプリングHEMT ADコンバータ : Polarity Alternating Feedback Comparatorを用いた5GHz ΣΔアナログディジタルコンバータ
- 高速オーバサンプリングHEMT ADコンバータ : Polarity Alternating Feedback Comparatorを用いた5GHz ΣΔアナログディジタルコンバータ
- CI-1-5 70-100GHz帯10Gb/s無線通信用InP HEMT送受信モジュールの開発(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- C-10-5 0.1-μm InP HEMTによる85-GHz 15.5-dBm分布型増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C-10-14 空間構造InP HEMTのワイドゲート化による雑音特性改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 省電力5GHz HEMTコンパレータ
- 高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- SC-7-5 W-CDMA携帯端末用HBTパワーアンプMMIC
- W-CDMA 0.2 cc HBT高効率パワーアンプモジュール
- W-CDMA 0.2cc HBT高効率パワーアンプモジュール
- W-CDMA 0.2cc HBT高効率パワーアンプモジュール
- InGaAs系へテロ接合バイポーラトランジスタのパワー素子への応用
- E-mode型、150W出力IMT-2000基地局用GaAs FET
- E-mode型、150W出力IMT-2000基地局用GaAs FET
- E-mode型、150W出力IMT-2000基地局用GaAs FET
- 第23回ヨーロッパマイクロ波会議出席報告
- 高V_fEモードFETにおける高ドレイン電流化の検討
- 高V_fEモードFETにおける高ドレイン電流化の検討
- 高V_fEモードFETにおける高ドレイン電流化の検討
- 共鳴トンネルダイオードとHEMTのモノリシック集積化
- 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス
- 基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 導電性n型SiC基板上に作製したAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- SC-9-8 多層配線を用いた 110-GHz 超広帯域フリップチップ分布型増幅器
- CS-9-2 携帯電話基地局用GaN-HEMT(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
- 高信頼度GaN-HEMT増幅器(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 高信頼度GaN-HEMT増幅器(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 導電性N-SiC基板上高出力AlGaN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 導電性N-SiC基板上高出力AlGaN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaN-HEMTを使用したW-CDMA基地局用高出力増幅器 (特集:研究開発最前線) -- (ユビキタス社会のネットワークを支える技術)
- 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaAS/GaAsHBTにおける低電圧動作のためのコレクタ構造の検討
- 低電圧動作,高効率 AlGaAs/GaAs HBT
- CT-2-2 ミリ波用InP HEMTの熱雑音抑制(CT-2.電子デバイスおよび集積システムにおける雑音の解析・抑制・応用に関する最先端技術-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- InP系HEMTによる超高速低消費電力IC技術(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 高効率電力増幅用GaNデバイス (特集 LTE)
- InP系HEMTの低雑音化とミリ波応用
- InP系HEMT技術を用いた43Gb/sフルレート4:1マルチプレクサ
- InP-HEMT MMICを用いたミリ波インパルス無線の検討(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- InP系HEMTによる超高速低消費電力IC技術(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- C-10-13 非対称リセスInP HEMTによるミリ波LNAの雑音改善手法(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 低オン電圧動作GaN SBDへのCu_2Oエッジ終端構造の適用
- ミリ波センサ用低雑音増幅器および検波器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 大容量ミリ波帯インパルス無線技術 (特集 ネットワーク) -- (サービスの進化を支えるネットワーク転送インフラ技術)
- ミリ波センサ用低雑音増幅器および検波器