InGaP/GaAs HBTの線形性に対するソースインピーダンスの影響
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概要
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デジタル方式の移動体通信では、通信用端末の送信用電力増幅器に高い線形性が要求される。今回InGaP/GaAs HBTにおいて、入力側整合回路のサセプタンスを変化させ位相歪みを抑えることにより、隣接チャネル漏洩電力(ACP)を改善できることが分かったので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
今西 健治
(株)富士通研究所
-
常信 和清
(株)富士通研究所
-
山口 泰弘
富士通カンタムデバイス
-
岩井 大介
(株)富士通研究所
-
今西 健治
富士通
-
小原 史朗
(株)富士通研究所
-
山田 浩
(株)富士通研究所
-
山口 泰弘
(株)富士通研究所
-
小原 史朗
富士通カンタムデバイス株式会社
-
常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
岩井 大介
富士通研
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