InP系HEMTの均一性と40Gbit/s光通信用ICへの適用
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概要
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InP-HEMTのエピやプロセスの均一化を検討し、単体トランジスタのVthにおいて標準偏差16mV, 差動対のオフセット6.2mVを実現した。gm=917mS/mm, f_T=175GHzのトランジスタを、BCBを用いた二層配線で集積化し、プリアンプやMUXなどの400bit/s光通信用ICに適用した。プリアンプでは電流電圧変換利得52dBΩと、49GHzの帯域にわたりフラットな利得を実現した。MUXにおいては、D-FFと組み合わせることでジッタの少ない40Gbit/sの波形を得ることができた。InP-HEMTのさらなる特性改善で、40Gbit/sを超えるICの実現の可能性がある。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-09
著者
-
重松 寿生
(株)富士通研究所
-
今西 健治
富士通研究所
-
牧山 剛三
(株)富士通研究所
-
今西 健治
(株)富士通研究所
-
原 直紀
(株)富士通研究所
-
高橋 剛
(株)富士通研究所
-
重松 寿生
富士通研究所
-
西 真弘
富士通カンタムデバイス(株) 先端技術開発部
-
鈴木 俊秀
(株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
-
鈴木 俊秀
富士通株式会社
-
今西 健治
富士通
-
鈴木 俊秀
(株)富士通研究所
-
西 眞広
富士通カンタムデバイス(株)
-
西 真弘
富士通カンタムデバイス(株)
-
今西 健治
富士通研
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