L帯GaN送受信モジュールの高出力化に関する研究(リモートセンシング及び一般)

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概要

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本研究は送受信モジュールを構成する受信系保護回路を耐圧に優れるGaN HEMT T/Rスイッチに置換し、送受信モジュールの高出力化にともなう受信性能劣化の対処を図るものである。本研究ではGaN HEMT T/Rスイッチを適用したL帯のGaN送受信モジュールフロントエンドの作製を行い、その有効性について実測した。その結果、GaN HEMT T/Rスイッチの適用により、53dBm以上のパルス波入力電力特性において、約40dBの高い送受アイソレーションと0.6dBの最大挿入損失及びGaN送受信モジュールフロントエンドの小型・軽量化を図ることができた。
2011-05-13

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