C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

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概要

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• 本論文では0.8μm GaN-HEMTを用いた超300W出力のC帯高出力増幅器について報告する。増幅器は2チップ構成とし、帯域を拡大するために3段のインピーダンス変換回路を用いた。チップ直近の入出力の伝送線路は高周波における熱不均一を抑制するために各々のチップに対して4分割した構造とした。4.8GHzのRF動作状態で各々のチップにおいて均一な熱分布を確認した。結果として4.8GHzにおいて321Wの出力と57%のドレイン効率を得た。これはこれまでに報告されている1パッケージC帯高出力増幅器で最高の出力である。また4.7GHzから5.3GHzにおいて250W以上の出力と44%以上のドレイン効率を得た。さらに効率重視の増幅器も試作を行い、4.8GHzにおいて288Wの出力と59%のドレイン効率および54%の電力付加効率を得た。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2009-01-07

著者

• 重松 寿生

  (株)富士通研究所

• 増田 哲

  富士通研究所

• 今西 健治

  富士通研究所

• 井上 雄介

  (株)富士通研究所

• 増田 哲

  (株)富士通研究所

• 山田 全男

  (株)富士通研究所

• 金村 雅仁

  (株)富士通研究所

• 多木 俊裕

  (株)富士通研究所

• 牧山 剛三

  (株)富士通研究所

• 岡本 直哉

  (株)富士通研究所

• 今西 健治

  (株)富士通研究所

• 吉川 俊英

  (株)富士通研究所

• 常信 和清

  (株)富士通研究所

• 原 直紀

  (株)富士通研究所

• 多木 俊裕

  富士通

• 牧山 剛三

  富士通

• 岡本 直哉

  富士通

• 重松 寿生

  富士通研究所

• 吉川 俊英

  富士通

• 常信 和清

  富士通株式会社

• 多木 俊裕

  富士通株式会社 電子デバイス事業本部

• 吉川 俊英

  富士通研究所

• 原 直紀

  富士通研究所

• 今西 健治

  富士通

• 常信 和清

  富士通株式会社:株式会社富士通研究所

• 牧山 剛三

  株式会社 富士通研究所

• 今西 健治

  富士通研

• 増田 哲

  富士通株式会社:株式会社富士通研究所

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