原子層堆積Al_2O_3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• 高効率スイッチング素子等、電源用途で使用される絶縁ゲート型窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT:High Electron Mobility Transistor)の閾値(V_<th>)シフトについて報告する。今回、V_<th>シフトの起源となる電子トラップの詳細を明らかにするとともに、それらの低減技術を開発した。まず、原子層堆積(ALD:Atomic Layer Deposition)法で製膜したAl_2O_3ゲート絶縁膜中の電子トラップとして、酸素原料に起因した残留不純物(Al(OH)_x)をX線光電子分光(XPS:X-ray Photoelectron Spectroscopy)法にて同定し、それらを低減するためのアニール技術(PDA:Post Deposition Annealing)を確立した。更に、GaN/Al_2O_3界面におけるGaN酸化への酸素原料の影響を解明し、酸素ラジカル等の活性酸素を含まないH_2O蒸気の採用により、界面の酸化層に起因した電子トラップを低減し、絶縁ゲート型GaN-HEMTのV_<th>シフト低減に成功した。

• 2012-11-22

著者

• 金村 雅仁

  (株)富士通研究所

• 岡本 直哉

  富士通

• 吉川 俊英

  富士通

• 多木 俊裕

  富士通株式会社 電子デバイス事業本部

• 多木 俊裕

  株式会社富士通研究所

• 尾崎 史朗

  株式会社富士通研究所

• 中村 哲一

  株式会社富士通研究所

• 岡本 直哉

  株式会社富士通研究所

• 宮島 豊生

  株式会社富士通研究所

• 吉川 俊英

  株式会社富士通研究所

• 金村 雅仁

  株式会社富士通研究所

• 今田 忠紘

  株式会社富士通研究所

関連論文

• 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
• 2007年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム(IMS 2007)出席報告
• 2007年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム(IMS 2007)出席報告(マイクロ波一般/ミリ波技術,マイクロ波シミュレータ,ミリ波技術,一般)
• 94GHz帯パッシブイメージセンサ用InP-HEMT MMICの開発(マイクロ波/一般)
• C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• W帯GaN MMIC送受信増幅器
• ノーマリーオフ型高電流密度GaN-HEMT
• GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 先端GaN-HEMTデバイス技術 (特集 研究開発最前線)
• GaN系パワー素子を開発,電気特性を高めコストを低減
• モバイルWiMAX基地局向け高効率GaN-HEMT増幅器 (特集 モバイルWiMAX)
• 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 高耐圧 E-mode AlGaN/GaN HEMT 実現のための新規リセス構造
• CS-9-3 GaN高周波応用技術の現状と展望(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
• CT-1-4 化合物半導体デバイス : InP系,GaN系(CT-1.CMOSを越える革新デバイスの現状と展望,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
• 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス
• 広帯域整合技術を用いた90GHz InP HEMT抵抗整合型増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 2004年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム出席報告(学生研究会/マイクロ波シミュレータ/一般)
• ED2000-92 MOCVD成長GaAs/InGaPヘテロ構造における界面の制御
• W帯10Gb/sインパルス無線通信用ウェーブレット送信機の開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• 94GHz帯パッシブイメージセンサ用InP-HEMT MMICの開発(マイクロ波/一般)
• 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• SC-5-2 InGaPチャネルFETにおける高耐圧化の機構
• CI-1-9 GaN HEMTのミリ波応用技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
• 高電圧動作によるAlGaN/GaN HEMTの相互変調歪プロファイル改善
• Surface-Charge-Controlled構造を用いたAlGaN/GaN Power HEMT(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• Surface-Charge-Controlled構造を用いたAlGaN/GaN Power HEMT(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• ホール障壁除去によるInP HEMTのg_d周波数分散の抑制
• ホール障壁除去によるInP HEMTのg_d周波数分散の抑制
• GaSによるGaAs表面パッシベーションとその応用
• MOVPE成長V族切換界面(InGaP/(In) GaAs)の特性制御
• MOVPE成長InGaP/GaAsヘテロ界面の評価
• ミリ波帯大容量伝送システム実現に向けた7.6ps InP HEMT短パルス発生器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• 94GHz帯パッシブイメージセンサの開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• 広帯域整合技術を用いた90GHz InP HEMT抵抗整合型増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• CI-1-5 70-100GHz帯10Gb/s無線通信用InP HEMT送受信モジュールの開発(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
• C-10-5 0.1-μm InP HEMTによる85-GHz 15.5-dBm分布型増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 超高速MMIC作製のためのInP HEMTデバイス技術(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
• 障壁層薄層化によるInP系HEMTの特性改善
• 横方向スケーリングによるInP系HEMTの高周波特性向上
• 衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
• 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス
• 超高速IC用InP HEMTデバイス・プロセス技術
• 衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
• 基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 導電性n型SiC基板上に作製したAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• CS-9-2 携帯電話基地局用GaN-HEMT(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
• 高信頼度GaN-HEMT増幅器(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• 高信頼度GaN-HEMT増幅器(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• 導電性N-SiC基板上高出力AlGaN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 導電性N-SiC基板上高出力AlGaN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• GaN-HEMTを使用したW-CDMA基地局用高出力増幅器 (特集:研究開発最前線) -- (ユビキタス社会のネットワークを支える技術)
• 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT
• 衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
• C-10-13 共鳴トンネルダイオードを用いたサンプリング回路
• 有機V族原料を用いた有機金属気相成長
• 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発
• 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発
• 高効率電力増幅用GaNデバイス (特集 LTE)
• 寄生容量低減によるHEMT IC動作速度の向上(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 寄生容量低減によるHEMTIC動作速度の向上(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• SC-6-7 Surface-Charge-Controlled構造を用いたAlGaN/GaN Power HEMT
• TC-1-2 RTD/HEMT 高集積回路実現のためのプロセス技術
• ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討 (電子デバイス)
• ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討 (レーザ・量子エレクトロニクス)
• ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討 (電子部品・材料)
• ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 低オン電圧動作GaN SBDへのCu_2Oエッジ終端構造の適用
• 原子層堆積Al?O?を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減 (レーザ・量子エレクトロニクス)
• 原子層堆積Al?O?を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減 (電子デバイス)
• 原子層堆積Al_2O_3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 原子層堆積Al_2O_3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 原子層堆積Al_2O_3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク