吉川 俊英 | 富士通

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概要

• 同名の論文著者
• 富士通の論文著者

関連著者

• 吉川 俊英

  富士通

• 金村 雅仁

  (株)富士通研究所

• 常信 和清

  富士通株式会社:株式会社富士通研究所

• 今西 健治

  富士通

• 多木 俊裕

  富士通株式会社 電子デバイス事業本部

• 今西 健治

  富士通研

• 今西 健治

  富士通研究所

• 常信 和清

  富士通株式会社

• 多木 俊裕

  富士通

• 牧山 剛三

  (株)富士通研究所

• 吉川 俊英

  (株)富士通研究所

• 原 直紀

  富士通研究所

• 吉川 俊英

  富士通研究所

• 岡本 直哉

  富士通

• 常信 和清

  (株)富士通研究所

• 牧山 剛三

  富士通

• 牧山 剛三

  株式会社 富士通研究所

• 原 直紀

  (株)富士通研究所

• 吉川 俊英

  富士通株式会社ネットワークプロダクト事業本部

• 今西 健治

  (株)富士通研究所

• 原 直紀

  株式会社富士通研究所

• 金村 雅仁

  富士通株式会社

• 増田 哲

  富士通研究所

• 増田 哲

  (株)富士通研究所

• 重松 寿生

  (株)富士通研究所

• 重松 寿生

  富士通研究所

• 牧山 剛三

  富士通株式会社

• 増田 哲

  富士通株式会社:株式会社富士通研究所

• 多木 俊裕

  富士通株式会社

• 今西 健治

  富士通株式会社

• 金村 雅仁

  富士通(株)

• 多木 俊裕

  (株)富士通研究所

• 岡本 直哉

  (株)富士通研究所

• 井上 雄介

  (株)富士通研究所

• 牧山 剛三

  富士通研究所

• 多木 俊裕

  富士通研究所

• 横川 茂

  富士通カンタムデバイス(株)

• 常信 和清

  富士通研究所

• 横山 満徳

  富士通カンタムデバイス

• 尾崎 史朗

  株式会社富士通研究所

• 中村 哲一

  株式会社富士通研究所

• 横川 茂

  富士通カンタムデバイス

• 多木 俊裕

  富士通(株)

• 今西 健治

  富士通(株)

• 牧山 剛三

  富士通(株)

• 常信 和清

  富士通(株)

• 山田 敦史

  富士通株式会社:株式会社富士通研究所

• 館野 泰範

  富士通カンタムデバイス(株)

• 館野 泰範

  ユーディナデバイス株式会社

• 高橋 剛

  富士通株式会社

• 田中 均

  富士通研究所

• 原 直紀

  富士通

• 岡本 直哉

  富士通(株)

• 吉川 俊英

  富士通(株)

• 中舎 安宏

  富士通研究所

• 原 直紀

  富士通(株)

• 長原 正樹

  富士通カンタムデバイス

• 安達 信雄

  富士通カンタムデバイス

• 常信 和清

  富士通

• 安達 信雄

  ユーディナデバイス株式会社

• 金村 雅仁

  富士通研究所

• 岩井 大介

  富士通研

• 渡部 慶二

  富士通研究所

• 今田 忠紘

  株式会社富士通研究所

• 中舍 安宏

  株式会社富士通研究所

• 高橋 剛

  富士通研究所

• 中川 匡夫

  NTT

• 山田 全男

  (株)富士通研究所

• 五十嵐 勉

  富士通カンタムデバイス(株)

• 山口 泰弘

  富士通カンタムデバイス

• 岩井 大介

  (株)富士通研究所

• 加藤 真一

  富士通カンタムデバイス

• 多木 俊裕

  株式会社富士通研究所

• 田中 均

  (株)富士通研究所

• 中舎 安宏

  (株)富士通研究所

• 中舎 安宏

  富士通株式会社

• 中川 匡夫

  Ntt 未来ねっと研

• 田中 正公

  富士通カンタムデバイス(株)

• 木村 徳治

  富士通研究所

• 久保 徳郎

  (株)富士通研究所

• 岡本 直哉

  富士通株式会社

• 増田 哲

  富士通株式会社

• 西 眞広

  富士通カンタムデバイス(株)

• 西 眞弘

  富士通カンタムデバイス株式会社

• 加藤 眞一

  (株)富士通研究所

• 岡本 直哉

  株式会社富士通研究所

• 尾崎 史朗

  富士通研究所

• 西森 理人

  富士通研究所

• 山田 敦史

  富士通研究所

• 宮島 豊生

  株式会社富士通研究所

• 吉川 俊英

  株式会社富士通研究所

• 金村 雅仁

  株式会社富士通研究所

• 二川 佳央

  国士舘大学大学院工学研究科

• 黒木 太司

  呉高専

• 上田 哲也

  京都工繊大

• 坂上 岩太

  富山大

• 篠田 博史

  日立製作所

• 田島 賢一

  三菱電機

• 古田 敬幸

  NTTドコモ

• 守永 光利

  日立製作所

• 西岡 健

  富士通カンタムデバイス株式会社

• 坂上 岩太

  富山大学工学部

• 上田 哲也

  京都工繊大 大学院工芸科学研究科

• 木村 徳治

  (株)富士通研究所

• 福澤 香苗

  (株)富士通研究所

• 篠田 博史

  株式会社日立製作所中央研究所

• 上田 哲也

  松下電器産業株式会社半導体研究センター

• 二川 佳央

  国士舘大 理工

• 守永 光利

  株式会社日立製作所中央研究所

• 坂上 岩太

  富山大学工学部電子電気システム工学科

• 上田 哲也

  京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科電子システム工学部門

• 内田 浩光

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 西川 健二郎

  日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所

• 森 一富

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 西川 健二郎

  NTT未来ねっと研究所

• 赤瀬川 章彦

  (株)富士通研究所

• 黒木 太司

  呉工業高専

• 佐野 公一

  NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社

• 西川 健二郎

  日本電信電話株式会社

• 西川 健二郎

  Ntt未来ねっと研究所日本電信電話株式会社

• 森 一富

  三菱電機

• Nishikawa Kenjiro

  Nippon Telegraph and Telephone corporation

• 内田 浩光

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 渡邊 祐

  (株)富士通研究所

• 渡邊 祐

  株式会社 富士通研究所

• 田島 賢一

  三菱電機株式会社

• 内田 浩光

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 山田 敦史

  富士通株式会社

• 原 直紀

  富士通株式会社

• 落水 洋聡

  (株)富士通研究所

• 松毛 和久

  東芝

• 渡邊 祐

  富士通研究所

• 滝川 正彦

  (株)富士通研究所

• 滝川 正彦

  富士通研究所

• 吉川 俊秀

  富士通(株)

• 山田 敦史

  富士通(株)

• 増田 哲

  富士通(株)

• 重松 寿生

  富士通(株)

• 舘野 泰範

  富士通カンタムデバイス

• 加藤 眞一

  富士通カンタムデバイス

• 西岡 健

  (株)富士通研究所

• 山本 達

  (株)富士通研究所

• 佐野 公一

  Ntt

• 渡辺 祐

  富士通研

• 渡邊 祐

  富士通(株)

• 赤瀬川 章彦

  富士通株式会社

• 舘野 泰範

  ユーディナデバイス株式会社

• 増田 哲

  富士通

• 上田 哲也

  京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科

• 米野 純次

  (株)富士通研究所

• 二川 佳央

  国士舘大学

• 二川 佳央

  国士舘大学大学院応用システム工学科

• 二川 佳央

  国士舘大学工学部 電気電子工学科

• 上田 哲也

  Department Of Molecular Virology Immunology And Medical Genetics And Comprehensive Cancer Center Ohi

• 岡本 直哉

  富士通研究所

• 西川 健二郎

  Ntt

• 内田 浩光

  三菱電機

• 福澤 香苗

  (株)富士通研究所化合物lsi研究部

• 今田 忠紘

  富士通研究所

• 美濃浦 優一

  富士通研究所

• 上田 哲也

  東京大学胃食道外科

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著作論文

• 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
• 2007年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム(IMS 2007)出席報告
• 2007年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム(IMS 2007)出席報告(マイクロ波一般/ミリ波技術,マイクロ波シミュレータ,ミリ波技術,一般)
• C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• W帯GaN MMIC送受信増幅器
• ノーマリーオフ型高電流密度GaN-HEMT
• GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 先端GaN-HEMTデバイス技術 (特集 研究開発最前線)
• GaN系パワー素子を開発,電気特性を高めコストを低減
• モバイルWiMAX基地局向け高効率GaN-HEMT増幅器 (特集 モバイルWiMAX)
• 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 高耐圧 E-mode AlGaN/GaN HEMT 実現のための新規リセス構造
• CS-9-3 GaN高周波応用技術の現状と展望(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
• CT-1-4 化合物半導体デバイス : InP系,GaN系(CT-1.CMOSを越える革新デバイスの現状と展望,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
• 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス
• 2004年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム出席報告(学生研究会/マイクロ波シミュレータ/一般)
• ED2000-92 MOCVD成長GaAs/InGaPヘテロ構造における界面の制御
• SC-5-2 InGaPチャネルFETにおける高耐圧化の機構
• CI-1-9 GaN HEMTのミリ波応用技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
• 高電圧動作によるAlGaN/GaN HEMTの相互変調歪プロファイル改善
• Surface-Charge-Controlled構造を用いたAlGaN/GaN Power HEMT(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• Surface-Charge-Controlled構造を用いたAlGaN/GaN Power HEMT(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• MOVPE成長V族切換界面(InGaP/(In) GaAs)の特性制御
• MOVPE成長InGaP/GaAsヘテロ界面の評価
• C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス
• 基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 導電性n型SiC基板上に作製したAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• CS-9-2 携帯電話基地局用GaN-HEMT(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
• 高信頼度GaN-HEMT増幅器(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• 高信頼度GaN-HEMT増幅器(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• 導電性N-SiC基板上高出力AlGaN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 導電性N-SiC基板上高出力AlGaN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• GaN-HEMTを使用したW-CDMA基地局用高出力増幅器 (特集:研究開発最前線) -- (ユビキタス社会のネットワークを支える技術)
• 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT
• 有機V族原料を用いた有機金属気相成長
• 高効率電力増幅用GaNデバイス (特集 LTE)
• SC-6-7 Surface-Charge-Controlled構造を用いたAlGaN/GaN Power HEMT
• ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 低オン電圧動作GaN SBDへのCu_2Oエッジ終端構造の適用
• 原子層堆積Al_2O_3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 原子層堆積Al_2O_3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 原子層堆積Al_2O_3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

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