多木 俊裕 | 富士通研究所
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概要
関連著者
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多木 俊裕
富士通研究所
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吉川 俊英
富士通研究所
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原 直紀
富士通研究所
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今西 健治
富士通研究所
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吉川 俊英
富士通
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牧山 剛三
富士通研究所
-
渡部 慶二
富士通研究所
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西森 理人
富士通研究所
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山田 敦史
富士通研究所
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今西 健治
富士通
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今西 健治
富士通研
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高橋 剛
富士通株式会社
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高橋 剛
富士通研究所
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多木 俊裕
富士通
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多木 俊裕
富士通株式会社 電子デバイス事業本部
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常信 和清
富士通研究所
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金村 雅仁
富士通研究所
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金村 雅仁
(株)富士通研究所
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牧山 剛三
(株)富士通研究所
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原 直紀
(株)富士通研究所
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牧山 剛三
富士通
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原 直紀
株式会社富士通研究所
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山田 敦史
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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牧山 剛三
株式会社 富士通研究所
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岡本 直哉
富士通
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岡本 直哉
富士通研究所
-
常信 和清
富士通株式会社
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今田 忠紘
富士通研究所
-
美濃浦 優一
富士通研究所
-
今田 忠紘
株式会社富士通研究所
著作論文
- 超高速IC用InP HEMTデバイス・プロセス技術
- 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 低オン電圧動作GaN SBDへのCu_2Oエッジ終端構造の適用
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討
- ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討