ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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概要
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窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)は高出力・高効率なミリ波帯増幅器デバイスとして期待されている。今回我々はさらなるオン抵抗低減のためにSiイオン注入の検討を行った。n-GaN/i-AlN/n-GaN層の三層キャップを有するGaN-HEMTに対してイオン注入を行い、コンタクト抵抗を0.61Ωmmから0.09Ωmmまで低減することができた。さらにゲート長が0.12μmの短ゲートデバイスに対してイオン注入を行い、I-V特性を確認した。その結果、三層キャップ構造を用いることによりイオン注入後も電流コラプスを抑制することができ、良好なI-V特性を得られることがわかった。
- 2011-11-10
著者
-
今西 健治
富士通研究所
-
牧山 剛三
(株)富士通研究所
-
原 直紀
(株)富士通研究所
-
多木 俊裕
富士通
-
牧山 剛三
富士通
-
吉川 俊英
富士通
-
原 直紀
株式会社富士通研究所
-
多木 俊裕
富士通株式会社 電子デバイス事業本部
-
吉川 俊英
富士通研究所
-
原 直紀
富士通研究所
-
山田 敦史
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
牧山 剛三
富士通研究所
-
今西 健治
富士通
-
牧山 剛三
株式会社 富士通研究所
-
多木 俊裕
富士通研究所
-
今西 健治
富士通研
-
渡部 慶二
富士通研究所
-
西森 理人
富士通研究所
-
山田 敦史
富士通研究所
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