GaSによるGaAs表面パッシベーションとその応用
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概要
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ターシャリブチルガリウムサルファキュベン[(t-Bu)GaS]_4を用いてMBE法で製作したGaSによるGaAs表面パッシベーションについて報告する。GaSパッシベーションすることにより、GaAsのフォトルミネッセンス(PL)強度は著しく増加し、そのPL強度は2年間維持しており、GaSは長期的にも安定なパッシベーション膜であることがわかった。また、界面準位密度はGaSパッシベーション前のGaAs表面再構成に依存し、As終端c(4x4)構造で最も低い値5x10^<10>eV^<-1>cm^<-2>を示した。さらに、今回、このGaSパッシベーションを利用したdepletion-modeGaS/GaAs MISFETとn-GaAsへのノンアロイオーミックコンタクト応用についても紹介する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-21
著者
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