AlAs上に成長したGeエピ特性のAlAs表面構造依存性

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概要

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Ge, GaAsヘテロエピタキシャル結晶は、正孔移動度の高いGeと電子移動度の高いGaAsを集積化できるという点で有効である。しかし、界面でのオートドーピングが問題となっている。その対策として、今回我々は、AlAs上のGeのMBE成長に於て、Ge成長前のAlAsの表面構造がその上に成長したGeの特性に与える効果について調べた。Geの特性はAlAsの表面構造に強く依存し、(5×4)構造上に成長することにより、大幅に改善されることがわかった。膜厚380nmのGeに於て、正孔移動度564cm^2/V・s,シート正孔濃度1.1×10^13>cm^-3>が得られた。さらに、表面付近の正孔移動度は1088cm^2/V・sに達していることがわかった。(5×4)AlAs表面はAs被覆率が約0.5と見積られ、界面の電荷中性条件により、拡散、偏析が抑制されたと考えている。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-10-11

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