ED2000-92 MOCVD成長GaAs/InGaPヘテロ構造における界面の制御
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概要
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InGaPを用いたHBTやHEMTが注目を浴びている。MOCVD法により作製したInGaP層には, CuPt-B型の自然超格子が形成されている。これに対応して、InGaPのバンドギャップが変化するだけでなく、InGaP/GaAsヘテロ界面の特性も影響を受ける。この原因として、自然超格子の原子配列を反映したピエゾ電界が主であるという説を紹介した。InGaP/GaAsヘテロ界面のΔEcが小さくなる条件では、InGaP/GaAs HBTのオフセット電圧も小さくなることをしめした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-07-20
著者
-
田中 均
富士通研究所
-
今西 健治
(株)富士通研究所
-
吉川 俊英
(株)富士通研究所
-
西岡 健
富士通カンタムデバイス株式会社
-
吉川 俊英
富士通
-
落水 洋聡
(株)富士通研究所
-
田中 均
(株)富士通研究所
-
今西 健治
富士通
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