Al_2O_3-膜の電気特性に対する窒素添加効果
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概要
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MOCVD法で成長した窒素添加Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いてMOSキャパシタおよびMOSFETを作製し、その電気特性を調べた。窒素添加された膜では界面準位密度が減少し、C-V曲線にみられたヒステリシスがほとんど消失する。界面準位は負の電荷をトラップする性質をもつことが推測され、窒素添加による界面準位密度の低減はMOSFETのIonの増加に反映される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-14
著者
-
田中 均
富士通研究所
-
杉山 芳弘
富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所
-
谷田 義明
富士通研究所
-
山口 正臣
富士通研究所
-
田村 泰之
富士通研究所
-
吉田 親子
富士通研究所
-
谷田 義明
富士通研
-
宮垣 真治
富士通研究所
-
吉田 親子
富士通研
-
吉田 親子
富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部
-
吉田 親子
(株)富士通研究所
-
杉山 芳弘
富士通研究所
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