吉田 親子 | 富士通研
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概要
関連著者
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吉田 親子
富士通研
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吉田 親子
(株)富士通研究所
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青木 正樹
富士通株式会社ソフトウェア事業本部
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杉井 寿博
(株)富士通研究所
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能代 英之
富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所
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畑田 明良
富士通
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吉田 親子
超低電圧デバイス技術研究組合
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杉井 寿博
超低電圧デバイス技術研究組合
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射場 義久
超低電圧デバイス技術研究組合
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青木 正樹
超低電圧デバイス技術研究組合
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能代 英之
超低電圧デバイス技術研究組合
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角田 浩司
超低電圧デバイス技術研究組合
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畑田 明良
超低電圧デバイス技術研究組合
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中林 正明
超低電圧デバイス技術研究組合
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山崎 裕一
超低電圧デバイス技術研究組合
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高橋 厚
超低電圧デバイス技術研究組合
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鈴木 秀雄
超電導工学研究所
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横山 直樹
富士通
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波頭 経裕
(財)国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所
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吉田 晃
超伝導工学研究所
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鈴木 秀雄
国際超電導産業技術研究センター
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吉田 晃
超電導工学研究所
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杉山 芳弘
富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所
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鈴木 秀雄
財)国際超電導産業技術研究センター
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吉田 晃
富士通株式会社
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吉田 親子
富士通研究所
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波頭 経裕
(財)国際超伝導産業技術研究センター超伝導工学研究所
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横山 直樹
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター:(現)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
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吉田 親子
富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部
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横山 直樹
富士通株式会社
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波頭 経裕
富士通株式会社
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阿曽 弘之
富士通研究所
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鈴木 秀雄
富士通株式会社
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青木 正樹
富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所
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杉山 芳弘
富士通研究所
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佐藤 雅重
富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部
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杉山 芳弘
富士通株式会社
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石丸 喜康
超電導工学研究所
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田中 均
富士通研究所
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佐藤 嘉洋
富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所
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杉山 芳弘
(株)富士通研究所基盤技術研究所
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谷田 義明
富士通研究所
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山口 正臣
富士通研究所
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田村 泰之
富士通研究所
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石丸 喜康
富士通株式会社
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吉田 親子
富士通株式会社
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阿曽 広之
(株)富士通研究所
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波頭 経裕
富士通(株)
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吉田 晃
富士通(株)
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吉田 親子
富士通(株)
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鈴木 秀雄
富士通(株)
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横山 直樹
富士通(株)
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谷田 義明
富士通研
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宮垣 真治
富士通研究所
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青木 正樹
富士通研究所 メモリデバイス研究部
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矢垣 真也
富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部
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青木 正樹
(株)富士通研究所
-
石丸 喜康
(財)国際超伝導産業技術研究センター超伝導工学研究所
-
青木 正樹
富士通研究所
-
倉澤 正樹
(株)富士通研究所
-
李 永〓
(株)富士通研究所
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角田 浩二
(株)富士通研究所
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青木 正樹
富士通研
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長永 隆志
超低電圧デバイス技術研究組合
-
杉山 芳弘
(株)富士通研究所
著作論文
- 強誘電体をゲート絶縁膜に用いた誘電体ベーストランジスタ
- 誘電体ベーストランジスタを用いた強誘電体メモリセル
- 部分ドーピングを用いた誘電体べーストランジスタ : 誘電体ベーストランジスタの1V動作 (超伝導エレクトロニクス/一般)
- Al_2O_3-膜の電気特性に対する窒素添加効果
- 高集積MRAM用の砂時計型MTJによる反転磁界の低減(新型不揮発性メモリ)
- CoFeB/MgO/CoFeB磁気トンネル接合の絶縁破壊特性とそのメカニズム
- システムLSI混載用STT-MRAMの高性能化とBEOLへのインテグレーション(不揮発メモリ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- システムLSI混載用STT-MRAMの高性能化とBEOLへのインテグレーション(不揮発メモリ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 混載SRAM置き換え用STT-MRAMの高性能化とインテグレーション(先端メモリ)
- STT-MRAMの特性改善に向けたダミーフリー層と2重トンネル接合を有する新しいMTJ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)