横山 直樹 | 富士通(株)
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概要
関連著者
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横山 直樹
富士通(株)
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横山 直樹
(株)富士通研究所
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鈴木 秀雄
超電導工学研究所
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関口 隆史
物質・材料研究機構
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横山 直樹
富士通
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佐久間 芳樹
富士通株式会社
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波頭 経裕
(財)国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所
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吉田 晃
超伝導工学研究所
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関口 隆史
独立行政法人 物質・材料研究機構
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関口 隆史
物材機構
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二木 俊郎
株式会社富士通研究所
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鈴木 秀雄
国際超電導産業技術研究センター
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吉田 晃
超電導工学研究所
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関口 隆史
物材研
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関口 隆史
東北大理
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関口 隆史
金属材料研究所
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関口 隆史
物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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高津 求
(株)富士通研究所
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横山 直樹
ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所
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鈴木 秀雄
財)国際超電導産業技術研究センター
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吉田 晃
富士通株式会社
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三浦 登
東京大学物性研究所
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波頭 経裕
富士通(株)
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吉田 晃
富士通(株)
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吉田 親子
富士通(株)
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鈴木 秀雄
富士通(株)
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高津 求
富士通(株)
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関口 隆史
東北大学金属材料研究所
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佐久間 芳樹
富士通(株)
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二木 俊郎
富士通(株)
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内田 和人
東京大学物性研究所
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波頭 経裕
(財)国際超伝導産業技術研究センター超伝導工学研究所
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Miura N
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo
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横山 直樹
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター:(現)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
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吉田 親子
富士通研
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吉田 親子
(株)富士通研究所
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関口 隆史
物質・材料研究機構半導体材料センター
著作論文
- 部分ドーピングを用いた誘電体べーストランジスタ : 誘電体ベーストランジスタの1V動作 (超伝導エレクトロニクス/一般)
- RHETおよびマルチエミッタ型RHETを用いた論理回路
- 正四面体溝を利用した量子ドット形成