強誘電体をゲート絶縁膜に用いた誘電体ベーストランジスタ
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概要
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高温超伝導論理回路用のメモリ回路を目指し、強誘電体ベース絶縁膜を持つ誘電体ベーストランジスタをメモリセルとして用いることを提案し、素子を試作した。電極配線はYBa_2Cu_3O_<7-x>高温超伝導薄膜、ベースをSrTiO_3、ベース絶縁膜をBaTiO_3を用いた。トランジスタは、電極を平面上に配置することで、複数の素子を用いて回路を構成することができるようになった。また電極の形状によって、電圧利得のある素子も得られた。また強誘電体薄膜の自発分極によると思われるメモリ効果を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-01-28
著者
-
鈴木 秀雄
超電導工学研究所
-
横山 直樹
富士通
-
横山 直樹
富士通株式会社
-
波頭 経裕
(財)国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所
-
石丸 喜康
超電導工学研究所
-
吉田 晃
超伝導工学研究所
-
鈴木 秀雄
国際超電導産業技術研究センター
-
吉田 晃
超電導工学研究所
-
鈴木 秀雄
財)国際超電導産業技術研究センター
-
吉田 晃
富士通株式会社
-
波頭 経裕
富士通株式会社
-
石丸 喜康
富士通株式会社
-
阿曽 弘之
富士通研究所
-
鈴木 秀雄
富士通株式会社
-
吉田 親子
富士通研究所
-
波頭 経裕
(財)国際超伝導産業技術研究センター超伝導工学研究所
-
石丸 喜康
(財)国際超伝導産業技術研究センター超伝導工学研究所
-
横山 直樹
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター:(現)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
-
吉田 親子
富士通研
-
吉田 親子
(株)富士通研究所
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