InGaAs/GaAs正四面体溝(TSR)量子ドット作製技術
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概要
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半導体極限微細構造(量子ナノ構造)における量子物性の解明と応用を目指して、量子ドットの作製技術とその素子/回路応用の研究が広く行われている。すでにドット作製法としてエッチング法、歪みヘテロ接合系のS-Kモード結晶成長法などが報告されているが、電子デバイスへの応用を考えた場合、ドットの均一性や位置制御など解決すべき問題が多い。こうした要求を満たす技術として、我々は正四面体溝(Tetrahedral-Shaped Recesses)量子ドット作製法を提案している。本発表では、この量子ドット作製技術とドットの光学特性、ドット形成機構および均一性について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
関口 隆史
物質・材料研究機構
-
横山 直樹
(株)富士通研究所
-
杉山 芳弘
富士通株式会社
-
佐久間 芳樹
富士通株式会社
-
横山 直樹
富士通株式会社
-
粟野 祐二
富士通研
-
関口 隆史
東北大金研
-
関口 隆史
独立行政法人 物質・材料研究機構
-
関口 隆史
物材機構
-
武藤 俊一
北海道大学工学部
-
関口 隆史
物材研
-
粟野 祐二
富士通株式会社
-
武藤 俊一
北大
-
関口 隆史
東北大理
-
関口 隆史
金属材料研究所
-
関口 隆史
物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
-
横山 直樹
ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所
-
粟野 祐二
(株)富士通研究所
-
関口 隆史
物質・材料研究機構半導体材料センター
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