磁場閉じ込めおよび正四面体溝を利用した量子ドット共鳴トンネル素子
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概要
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テラビット級メモリの実現は、将来の微細エレクトロニクスにおける最も挑戦的な課題の一つと言える。我々は、この実現に向けて高機能を有する共鳴トンネル素子RHET(Resonant tunneling hot elcctron transisitor), ME-RHET(Multi-emitter-RHET)を開発する一方、位置制御可能な独自の量子ドット技術「正四面体溝(Tetrahedral-Shaped Recess:TSR)量子ドット」を開発・高度化してきた。これらの技術を発展的に融合させることで、微細化と量子ドット特有のフォノンボトルネック効果による低消費電力化を目指している。本発表では、最近の共鳴トンネル素子研究の動向を述べ、さらに我々の行っている強磁場閉じ込めによる量子ドットの共鳴トンネル物性の研究、TSRドットの局所的光学評価、均一性評価、量子準位制御法、縦積み技術、さらに縦積み2重TSRドット間の共鳴トンネル特性の研究成果ついて述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
横山 直樹
(株)富士通研究所
-
佐久間 芳樹
富士通株式会社
-
横山 直樹
富士通株式会社
-
粟野 祐二
富士通研
-
二木 俊郎
株式会社富士通研究所
-
二木 俊郎
富士通株式会社
-
粟野 祐二
富士通株式会社
-
横山 直樹
ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所
-
粟野 祐二
(株)富士通研究所
-
島 昌司
富士通株式会社
-
Wirner C.
富士通株式会社
-
Strutz T.
富士通株式会社
-
Wirner C.
Fujitsu Ltd.
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